Компенсация - избыточный заряд
Cтраница 1
Компенсация избыточных зарядов осуществляется путем адсорбции ионов на внутренних поверхностях в каналах кристаллической структуры. [1]
Компенсация избыточного заряда при таком гетеровалентном замещении достигается за счет частичного замещения ионов кальция ионами натрия. Ион европия находится в окружении шести ионов кислорода, которые располагаются в вершинах искаженного октаэдра ( см. гл. Два иона кислорода находятся на расстоянии 2 33 А от иона европия, два - на расстоянии 2 98 А, а два оставшихся - на расстоянии 2 5 А. [2]
В этом соединении при замещении ионами TR3 ионов Са2 могут образовываться несколько близких по структуре акти-ваторных центров, так как компенсация избыточного заряда может осуществляться несколькими способами. Действительно, в спектрах люминесценции кристаллов Ca ( NbOg) 2 - Nd3, выращенных расплавным методом без дополнительной компенсирующей примеси, рядом с интенсивными линиями, принадлежащими основному центру, при низких температурах наблюдаются слабые сателлиты. Эти спутники принадлежат центрам, анализ которых весьма затруднен. Другие активаторные центры себя в генерации не проявляют. Видимо, это связано с тем, что они передают энергию возбуждения основному центру, условия для возникновения генерации у которого более благоприятные. [3]
 |
Положение групп линий ионов Ln3 в спектрах свечения. [4] |
Из-за близости радиусов Са2 и Ln3 ионы редкоземельных металлов хорошо замещают кальций в решетке ортованадата. Компенсация избыточного заряда ( КИЗ) осуществляется посредством образования вакансий или введением в кристаллическую решетку ортованадата кальция стехиометрического количества ионов натрия или титана, например Са3 - 2Я Ьпа. [5]
Характер примесной разупорядоченности ионных кристаллов, так же как и собственной, тесно связан с особенностями энергетического спектра электронов, прежде всего с большой шириной запрещенной зоны. Если в полупроводниках наиболее энергетически выгодным способом компенсации избыточного заряда примеси является образование дополнительных электронов в зоне проводимости или дырок в валентной зоне, то в ионных кристаллах разупорядочение электронов энергетически невыгодно по сравнению с образованием ионных дефектов. [6]
Кроме того, имеется ряд данных со следующими обозначениями: КИЗ - компенсация избыточного заряда, ПЭВ - передача энергии возбуждения ( для сенсибилизированных кристаллов) и ЭКП - электронно-колебательный переход. [7]
При переходе каждого иона примеси в кристалл появляется одна катионная вакансия для компенсации избыточного заряда примеси. [8]
 |
Зависимость коэффи-циента, распределения неодима от i-мь О - ( Сп ЫН ww Mh i П концентрации щелочных металлов. [9] |
Основным недостатком кристаллов типа CaWO4, активированных трехвалентными редкоземельными ионами, является несовпадение зарядов состояний RE3 и Са2, вследствие чего появляется необходимость компенсации избыточного заряда для поддержания макроскопической электронейтральности системы. [10]
Действительно, при большой ширине замещенной зоны переход электрона в зону проводимости требует его размещения на весьма высоком энергетическом уровне, а образование дырки в валентной зоне - удаления электрона с весьма низкого уровня. Оба эти процесса сопряжены, таким образом, со сравнительно большими затратами энергии. Поэтому в ионных кристаллах наиболее энергетически выгодным способом компенсации избыточного заряда примеси является увеличение концентрации одного из двух типов собственных ионных дефектов, доминирующих в чистом кристалле, а именно того, эффективный заряд которого противоположен эффективному заряду примесного центра. [11]
Однако и здесь возникают нетривиальные особенности в динамике системы. В частности, затрудняется зарядовая нейтрализация пучка. Это связано с тем, что продольное магнитное поле препятствует выталкиванию в радиальном направлении электронов плазмы для компенсации избыточного заряда, вносимого в нее пучком. [12]
 |
Спектр свечения Sr2 88Ndo o6Nao oe ( VO4 3. [13] |
Наиболее интересен для практического применения ион неодима. Для спектра Nd3 в M3 ( V04) 2 характерно сосредоточение основного излучения в полосе 1 063 мк. Ширина линии 1 063 мк для Nd0 oeNa0 0eCa2 88 ( V04) 2 равна - 6 6 нм при 78 К, а при 295 К - 12 3 нм. Ширина линии излучения иона неодима в полосе с вакансионной компенсацией избыточного заряда значительно шире ( 8 2 нм при 78 К и 16 нм при 295 К. [14]
Разность между неравновесной и равновесной концентрациями дырок называется избыточной. Накопление избыточной концентрации дырок приводит к возникновению в - области избыточного положительного заряда, нарушающего условие электронейтральности. Для восстановления этого условия необходимо накопление в n - области равного избыточного отрицательного заряда электронов. Однако концентрация электронов в - области непрерывно убывает из-за их рекомбинации с инжектированными в эту область дырками и инжекции электронов из - области в р-область. Поэтому необходим постоянный приток электронов в - область через внешний контакт к этой области. Аналогично через другой внешний контакт в р-область непрерывно поступают дырки, необходимые для компенсации избыточного заряда инжектированных 1в зту Област &-элек и5нвр, рекомбинации с ними и инфекции дырок - в - обласйъ. [15]
Страницы: 1