Начальный комплекс - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Почему-то в каждой несчастной семье один всегда извращенец, а другой - дура. Законы Мерфи (еще...)

Начальный комплекс

Cтраница 1


1 Зависимость обратных значений экспериментально определенной константы скорости от обратных значений концентрации фосфита для реакции СН3Мп ( СО5 с трифе-нилфосфитом в тетрагидрофуране. [1]

Начальный комплекс обозначается как М; M ( S) - реакционноспособный интермедиат, который может сольватироваться; ML - конечный продукт.  [2]

Если начальный комплекс расположен между точками L и D, можно определить состав маточного раствора при охлаждении до температуры, для которой построена изотерма системы.  [3]

Конфигурация начального комплекса соответствует состоянию, в котором Ti-орбнтали молекул этилена бесконечно мало возмутили друг друга без перегибридизации. Если возмущение очень мало, то и различие между энергией ивчального комплекса и двух отдельных молекул этилена тоже очень мало.  [4]

Пустота начального комплекса события S означает, очевидно, что событие S пусто. Поскольку в этом случае решение проблемы анализа тривиально ( формально регулярным выражением для S может служить, например, дизъюнкция пустого множества букв входного алфавита), то в дальнейшем этот случай мы исключим из рассмотрения.  [5]

Если задан начальный комплекс состава HI ( между предельными точками L и D), это означает, что при охлаждении исходного раствора до температуры, при которой построена изотерма системы, из раствора выделится твердая фаза С. Состав маточного раствора приближенно будет представлен точкой MI на пути кристаллизации.  [6]

Изложенный способ построения начального комплекса представляет собой простой прием определения допустимого многогранника разумных размеров и конфигурации, избавляющий пользователя от необходимости проделывать эту операцию каждый раз самостоятельно.  [7]

В этом случае будет начальный комплекс будет напоминать возбужденную молекулу Не2, в которой имеется связь He-He, правда, слабая ( см. гл. Возбужденный триплетный начальный комплекс имеет связь лишь на одной стороне реагирующих молекул, т.е. представляет собой триплетный бирадикал, который после интеркомбинациоиной конверсии ( перехода в синглетный дирадикал) дает конечный циклический продукт. Таким образом, реакция не является согласованным двусторонним взаимодействием.  [8]

В качестве первой вершины начального комплекса выбирается точка х, принадлежащая внутренности допустимой области.  [9]

Центры конденсации не только способствуют образованию начальных комплексов молекул, но и дальнейшему их росту. Благодаря присутствию центров конденсации, увеличиваются силы, сдерживающие молекулы, увеличивается теплота испарения и, значит, уменьшается упругость насыщенных паров.  [10]

Однако есть несколько примеров, в которых начальный комплекс менее устойчив, чем более высокозамещенный.  [11]

Помимо пылинок и ионов, собиранию молекул пара в начальные комплексы способствуют также молекулы, в которых положительные и отрицательные заряды расположены невполне симметрично. Вследствие этого молекула действует подобно комбинации двух равных электрических зарядов, расположенных на некотором расстоянии друг от друга.  [12]

Сначала с помощью вспомогательных графических построений о-пределяют точки состава начального комплекса. Требуется узнать, является ли начальный комплекс при данной температуре ненасыщенным раствором, насыщенным или смесью насыщенного раствора только с одной, двумя или со всеми тремя твердыми фазами.  [13]

Передача и обрыв цепи возможны как в результате переноса подвижного атома X от ДХ к растущей цепи и регенерации начального комплекса, так и благодаря взаимодействию растущей цепи с радикалом MX, а гибель цепи в результате рекомбинации и диспропорционирования.  [14]

Вспомогательные графические построения состоят в подборе секущей плоскости, на которой лежат такие элементы диаграммы, как линия упаривания данного начального комплекса, путь кристаллизации и линия кристаллизации первой выпадающей твердой фазы и одна из координатных осей диаграммы. На проекциях диаграммы обозначают следы выбранной секущей плоскости, с помощью которых и выполняют дальнейшие графические построения.  [15]



Страницы:      1    2