Cтраница 3
Степень детализации нормирования вспомогательного времени, так же как и степень точности рассчитываемой нормы, зависит от вида производства. В условиях массового и крупносерийного производства требуется наибольшая точность нормирования. Это, в свою очередь, вызывает необходимость детального расчета вспомогательного времени по простейшим комплексам трудовых приемов и движений. [31]
Рассмотрим кратко, какие этапы прошло развитие метода потенциометрии в его приложении к изучению реакций комп-лексообразования. В конце XIX века Нернстом было выведено основное уравнение потенциометрии. Бодлендером в 1902 - - 1904 гг. с помощью медного электрода были определены; константы устойчивости простейших комплексов меди. [32]
Ли, Англия) посвящена обзору исследований механизма хемосорбции на атомарно чистых поверхностях полупроводников; рассмотрена природа образующихся поверхностных комплексов. Они рассматривают простейшие поверхностные комплексы на поверхностях германия, кремния и интерметаллидов и анализируют природу адсорбционных связей, ответственных за образование тех или иных комплексов. На основании ряда упрощающих предположений авторы проводят оценку энергии связей простейших комплексов с поверхностью и силовых постоянных этих связей. [33]
Распространение такого рассмотрения на комплексы дефектов в принципе не вызывает особых трудностей, но связано с определенными математическими усложнениями. Существуют, однако, вопросы, связанные с механизмом рассматриваемых процессов и не поддающиеся обработке методами статистической термодинамики. Картину роста агрегатов из обычных дефектов нетрудно себе представить на основе известных представлений о диффузионных процессах. Однако при этом трудно понять, каким образом совокупность изолированных комплексов дефектов может агрегироваться путем диффузии отдельных комплексов. Действительно, с физической точки зрения маловероятно, чтобы комплексы перемещались сквозь кристаллическую решетку как единое целое, за исключением, пожалуй, комплексов, состоящих из электрических дефектов, а именно захваченных электронов и положительных дырок. Даже в случае простейших комплексов дефектов типа F-центров был установлен ступенчатый характер роста агрегатов из разных вакансий и электронов. Диффузия целого комплекса, состоящего из двух вакансий и атома в междоузлии, через решетку такого соединения, как Fe O, совершенно невозможна; перенос такого комплекса может осуществиться только путем его диссоциации на отдельные дефекты, диффузии последних и постепенным присоединением их к растущему кластеру с образованием соответствующей конфигурации непосредственно вблизи агрегата. Такая система динамична; здесь всегда существует распределение кластеров, кластеров с отдельными дефектами, комплексов дефектов и изолированных простых дефектов обоих типов. [34]