Экситонно-примесный комплекс
Cтраница 1
Многочастичные экситонно-примесные комплексы могут служить центрами конденсации электронно-дырочной жидкости. С ростом плотности носителей заряда из-за экранирования кулоновского взаимодействия экситонный газ должен металлизоваться. [1]
 |
Спектр фотолюмннисцен-ции CdS. /. - бесфононная линия связанного экситона. [2] |
Линии экситонно-примесных комплексов часто имеют фонон-ные повторения в спектре излучения, связанные с участием фоно-нов или их комбинаций в излучательном переходе электронов. На рис. 129 показан спектр фотолюминесценции CdS при температуре 1 6 К, на котором хорошо различима узкая линия / х связанного экситона и ее различные фононные повторения, связанные с LO -, ТО -, ТА-фононами и их комбинацией LO-ТА. [3]
Приняв разницу между максимумами А0 и А ( 18 мэВ) за энергию фонона, авторы объясняют наблюдаемое в спектрах повторение структуры с этой энергией участием оптических переходов, связанных с излучением экситонно-примесного комплекса, с участием увеличивающегося числа фононов. [4]
 |
Спектр поглощения кристаллической закиси меди. пики. [5] |
В многодолинных полупроводниках, к-рые характеризуются наличием неск. Причиной устойчивости многочастичных экситонно-примесных комплексов в непрямозонных полупроводниках ( Ge, Si) является высокая степень вырождения зон. [6]
Наблюдение спектров излучения связанных экситонов в различным образом легированных полупроводниках может послужить для определения энергетического положения уровней легирующих примесей. К сожалению, теория экситонно-примесных комплексов развита пока только для примесей с мелкими водородоподоб-ными состояниями. [7]
Наблюдение спектров излучения связанных экситонов в различным образом легированных полупроводниках может послужить для определения энергетического положения уровней легирующих примесей. К сожалению, теория экситонно-примесных комплексов развита пока только для примесей с мелкими водородопо-добными состояниями. [8]
Здесь следует заметить, что вид спектров экситонной излуча-тельной рекомбинации существенно меняется при изменении температуры образца. Спектральные линии экситонов с повышением температуры становятся шире вследствие увеличения кинетической энергии движущихся экситонов. Однако это положение справедливо только для свободно движущихся экситонов. Такие экси-тоны наблюдаются в очень чистых полупроводниках. Если же в полупроводник введены примеси, то экситоны могут образовывать с атомами примеси так называемые экситонно-примесные комплексы. Связанный на примеси экситон локализован и не может перемещаться по кристаллу. Поэтому линии излучения связанных экситонов очень узкие, и ширина их не зависит от температуры. Если изменять тип примеси, то энергии, соответствующие линии экситонно-примесного комплекса, меняются. [9]
Здесь следует заметить, что вид спектров экситонной излучательной рекомбинации существенно меняется при изменении температуры образца. Спектральные линии экситонов с повышением температуры становятся шире вследствие увеличения кинетической энергии движущихся экситонов. Однако это положение справедливо только для свободно движущихся экситонов. Такие эк-ситоны наблюдаются в очень чистых полупроводниках. Если же в полупроводник введены примеси, то экситоны могут образовывать с атомами примеси так называемые экситонно-примесные комплексы. Связанный на примеси экситон локализован и не может перемещаться по кристаллу. Поэтому линии излучения связанных экситонов очень узкие, и ширина их не зависит от температуры. Если изменять тип примеси, то энергии, соответствующие линии экситонно-примесного комплекса, меняются. [10]
Здесь следует заметить, что вид спектров экситонной излуча-тельной рекомбинации существенно меняется при изменении температуры образца. Спектральные линии экситонов с повышением температуры становятся шире вследствие увеличения кинетической энергии движущихся экситонов. Однако это положение справедливо только для свободно движущихся экситонов. Такие экси-тоны наблюдаются в очень чистых полупроводниках. Если же в полупроводник введены примеси, то экситоны могут образовывать с атомами примеси так называемые экситонно-примесные комплексы. Связанный на примеси экситон локализован и не может перемещаться по кристаллу. Поэтому линии излучения связанных экситонов очень узкие, и ширина их не зависит от температуры. Если изменять тип примеси, то энергии, соответствующие линии экситонно-примесного комплекса, меняются. [11]
Здесь следует заметить, что вид спектров экситонной излучательной рекомбинации существенно меняется при изменении температуры образца. Спектральные линии экситонов с повышением температуры становятся шире вследствие увеличения кинетической энергии движущихся экситонов. Однако это положение справедливо только для свободно движущихся экситонов. Такие эк-ситоны наблюдаются в очень чистых полупроводниках. Если же в полупроводник введены примеси, то экситоны могут образовывать с атомами примеси так называемые экситонно-примесные комплексы. Связанный на примеси экситон локализован и не может перемещаться по кристаллу. Поэтому линии излучения связанных экситонов очень узкие, и ширина их не зависит от температуры. Если изменять тип примеси, то энергии, соответствующие линии экситонно-примесного комплекса, меняются. [12]
Страницы: 1