Арсенид-фосфид
Cтраница 1
Эпитаксиальные слои арсенид-фосфида галлия, полученные газотранспорт - [ ным методом. [1]
 |
Энергетическая циальных ямах. Различие показателей диаграмма полупроводнике - преломления ( диэлектрических прони-вого инжекционного лазера ч - г.| Конструкция полупроводникового инжекцион. [2] |
Для изготовления инжекционных лазеров используют арсенид галлия, твердые растворы арсенид-фосфид галлия GaAsi - jP, арсенид индия, фосфид индия и другие полупроводниковые материалы. [3]
 |
Конструкция полупроводникового инжекцион.| Энергетическая диаграмма полупроводникового инжекционного лазера с гетеропереходами без приложенного напряжения ( а и при прямом напряжении ( б. [4] |
Для изготовления инжекционных лазеров используют арсенид галлия, твердые растворы арсенид-фосфид галлия GaAsi P. [5]
 |
Энергетическая диаграмма полупроводникового иижекционного лазера с гетеропереходами без приложенного напряжения ( а и при прямом напряжении ( б. [6] |
Для изготовления инжекционных лазеров используют арсенид галлия, твердые растворы арсенид-фосфид галлия GaAs Pi. [7]
 |
Структура полупроводникового лазера ( а и схема процесса образования фотонной лавины в резонаторе ( б. 1 - активная область лазера. 2 - отражающие поверхности кристалла. [8] |
Для изготовления инжекционных лазеров используют арсенид галлия, твердые растворы арсенид-фосфида галлия Оа ( Аз1 - хРж), арсенид индия, антимонид индия, фосфид индия и другие полупроводниковые материалы. [9]
Использование разработанных паро-газовых смесей ЭОС теллура в технологии выращивания легированных э.с. арсенид-фосфида галлия позволяет воспроизводимо от процесса к процессу и с высоким выходом ( до 95 %) получать структуры с требуемым диапазоном концентрации носителей тока ( 5 - 1016 - 2 - 1C17 am / см3), которые применяются в производстве светоизлучающих устройств. [10]
 |
Зависимость выходной мощности лазера из арсенида галлия фирмы RCA от тока накачки и частоты следования импульсов. [11] |
Лазеры типа MVZ-150, изготовленные фирмой Мапсапто ( США) из тройного соединения арсенид-фосфид галлия ( GaAs-GaP), могут работать на любой волне ( в зависимости от соотношения арсенида п фосфида галлия в соединении) в диапазоне от 0 65 до 0 85 мкм при температуре жидкого азота. [12]
Для изготовления излучателей используются полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, например: арсенид галлия, фосфид галлия, твердые растворы арсенид-фосфида галлия Ga ( Asi Px), карбид кремния и другие материалы. Для снижения безыз-лучательной рекомбинации носителей заряда лазеры из арсенида галлия охлаждаются до очень низких температур. [13]
В настоящее время газовая эпитаксия в промышленных масштабах применяется главным образом в производстве структур арсенида галлия, используемых для изготовления полевых транзисторов и диодов Ганна, а также твердых растворов арсенид-фосфид галлия ( д: л 0 40), применяемых для изготовления дискретных светодиодов и знаковых индикаторов красного цвета свечения. Принципиальные схемы процессов получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений и их твердых растворов с использованием этих реакций показаны на рис. 6.17 на примерах арсенида галлия и твердого раствора арсенид-фосфид галлия. [14]
Нами разработаны удобный метод синтеза алкильных производных селена и теллура, химико-спектральные и газохроматографи-ческие методы их анализа на содержание примесей; путем ректификации получены чистые образцы, которые были испытаны в процессах легирования э.с. арсенид-фосфида галлия. [15]
Страницы: 1 2