Компонент - ненадежность
Cтраница 1
 |
Результат электромиграции в пленке алюминия при больших плотностях тока. [1] |
Компоненты ненадежности, специфические для мощных ИС и мощных СВЧ транзисторов. Для ИС этого типа характерно использование электрических режимов, близких к предельным. [2]
 |
Результат электромиграции в пленке алюминия при больших плотностях тока. [3] |
Компоненты ненадежности, специфические для биполярных БИС. [4]
Компонентами ненадежности будем считать составные части аппаратуры на основе ИС, выделенные с таким расчетом, чтобы обладать определенной технологической независимостью и допускать изготовление с помощью вполне определенной, достаточно замкнутой последовательности технологических операций: 1) термокомпрессионные внутрисхемные контакты; 2) сварные внутрисхемные контакты; 3) сварные или паяные внешние контакты с печатной платой; золотые или алюминиевые проводники, используемые при внутрисхемных соединениях с выводами корпуса; 4) внутрисхемный монтаж ( металлизация); 5) состояние поверхности ( качество обработки, защита) подложки ИС; 6) герметичность корпуса ИС; 7) целостность и однородность подложки; 8) дефекты в твердом теле. Первые шесть компонентов ненадежности обусловливают появление катастрофических отказов аппаратуры. Отказы, связанные с каждым из этих шести компонентов, можно считать практически не зависящими друг от друга. [5]
Компонентами ненадежности можно считать составные элементы изделия, выделенные с таким расчетом, чтобы они обладали определенной технологи-ческрй независимостью и допускали изготовление всего изделия в целом с помощью вполне определенной, достаточно замкнутой последовательности технологических операций. Например, в ИМ можно выделить кристалл, окисел ( или граница раздела окисел-полупроводник), металлизацию, внутрисхемные контактные узлы ( термокомпрессионные или ультразвуковые), проводники для соединения металлизации с выводами корпуса, корпус. [6]
К компонентам ненадежности относится также корпус и соединения, характеризующиеся значениями Х и А 0 соед. [7]
Расчленение ИС на компоненты ненадежности условно и определяется возможностями и удобством получения статистической информации их надежности. [8]
Аналогично можно расчленить на компоненты ненадежности любое изделие. Компоненты ненадежности, являясь продуктами определенного частичного технологического цикла, представляют своего рода технологические модули, переносимые из разработки в разработку и сравнительно медленно эволюционирующие в ходе технического развития. Изучение и моделирование кинетики процессов, происходящих в выделенных компонентах ненадежности, позволяет установить причинную связь между геометрией компонентов-свойствами материалов, эксплуатационными факторами и временем наработки изделия до отказа. [9]
Проблемы аналитического расчета влияния компонентов ненадежности напоминают специфические трудности, встречающиеся при рассмотрении постепенных отказов в обычных транзисторных схемах. [10]
Расчленение ИМС или БИС на компоненты ненадежности условно и в каждом конкретном случае определяется возможностями и удобством получения статистической информации об их надежности. [11]
При физическом подходе информацию о свойствах компонентов ненадежности получают статистической обработкой данных об отказах ИС разных типов с разной схемотехникой, но реализованных одинаковыми конструкторскими способами и базовыми технологическими процедурами. Однотипность конструкций и относительный консерватизм этих процедур допускают прогностическое моделирование надежностных свойств ИС новых типов на основании прошлого опыта, принципиально недостижимое при традиционном ( статистическом) подходе к проблеме надежности. Физический подход допускает организацию массовой надежностной обратной связи, основанной на обработанных текущих данных о дефектах ИС и их отказах в МЭА. По своей структуре надежностная обратная связь заключается в воздействии на основные компоненты ненадежности ИС и МЭА путем усовершенствований, вносимых в процессы их проектирования, изготовления, контроля и применения. При этом надежностной обратной связью могут быть охвачены производства и организации, разрабатывающие ИС и МЭА. [12]
 |
Коэффициенты режима работы элементов полупроводниковых ИМС. [13] |
Данный метод учитывает не только количество компонентов ненадежности, но и качество разработанной топологии, количество технологических операций, режим работы и эксплуатационные воздействия. [14]
В традиционной транзисторной или ламповой электронике компонентами ненадежности были реальные физические объекты - детали ( транзисторы, диоды, лампы, резисторы, конденсаторы разных типов), а вся аппаратура моделировалась в виде совокупности больших количеств разнородных комплектующих изделий; информация о надежности при этом соотносилась с одним определенным типом детали и обрабатывалась применительно лишь к ней. [15]
Страницы: 1 2