Cтраница 4
Таким образом, число р-частиц, прошедших слой вещества толщиной х, зависит от плотности поглощающей среды в целом и отношений Of / At для каждого компонента вещества. Для большей части легких элементов отношение Ot / Ai можно считать практически постоянным. [46]
В первом случае протоспут-никовое вещество подвергается только небольшому нагреванию и испарению летучих при движении внутрь диска, во втором случае после нагрева и испарения должна происходить последовательная конденсация компонент вещества при существенно более высоких давлениях. Внешний нагрев протоспутникового диска излучением Юпитера в обеих моделях менее эффективен, чем его внутренний нагрев вследствие диссипации турбулентности. [47]
Используя для давления излучения известную формулу Р - Т4 / Я3с3 ( см. кривую 1 на рис. 7, изображающем вклад в давление фотонной ( /) и позитронной ( 2) компонент вещества), нетрудно увидеть, что вблизи этой кривой фотонная компонента вещества вносит в давление большой и даже определяющий вклад. [48]
Используя для давления излучения известную формулу Р - Т4 / Я3с3 ( см. кривую 1 на рис. 7, изображающем вклад в давление фотонной ( /) и позитронной ( 2) компонент вещества), нетрудно увидеть, что вблизи этой кривой фотонная компонента вещества вносит в давление большой и даже определяющий вклад. [49]