Компонент - тензор - диэлектрическая проницаемость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если третье лезвие бреет еще чище, то зачем нужны первые два? Законы Мерфи (еще...)

Компонент - тензор - диэлектрическая проницаемость

Cтраница 1


Компоненты тензора диэлектрической проницаемости для той или иной модели среды могут быть рассчитаны на основе электронной теории дисперсии. В рамках феноменологической теории ( которая положена в основу дальнейшего рассмотрения) их можно считать параметрами, определяемыми на опыте.  [1]

Девять величин e fc образуют компоненты тензора диэлектрической проницаемости 2-го ранга.  [2]

Здесь символ ( е /) а означает, что компоненты тензора диэлектрической проницаемости берутся для случая отсутствия механических напряжений.  [3]

В: 2Q0 - ( uBeB0 / mc, то выражения ех, 8ц оказываются совпадающими соответственно с поперечной и продольной компонентами тензора диэлектрической проницаемости электронной плазмы.  [4]

V до прибора, регистрирующего рассеянное излучение; G - замкнутый элемент объема жидкости, не находящийся около поверхности жидкой фазы; Ae z - анизотропная компонента тензора диэлектрической проницаемости в элементе объема G; Ae z обусловлена анизотропными флуктуациями в элементе объема G.  [5]

Здесь е е 4ясг / ш, Q - магнитооптический параметр, величина которого пропорциональна намагниченности среды и значительно меньше единицы. При наличии РМН компоненты тензора диэлектрической проницаемости являются функциями координаты.  [6]

Во-вторых, формулы (16.4) свидетельствуют о резонансном характере процесса в намагниченной плазме. О, легко заметить, что этот гиромагнитный резонанс несколько сдвигается и компоненты тензора диэлектрической проницаемости остаются ограниченными.  [7]

Однако тензор диэлектрической проницаемости кристалла наиболее просто выражается через состояния не кулоновских, а так называемых ( см. [116], § 2) механических экситонов. В дальнейшем при обсуждении некоторых вопросов теории переноса энергии между молекулами примеси, а также при рассмотрении влияния матрицы на интенсивность поглощения света примесными молекулами, нам потребуются соотношения, позволяющие выразить компоненты тензора диэлектрической проницаемости кристалла через энергии и волновые функции кулоновских экситонов.  [8]

Это не означает, однако, что вектор L слабого ферромагнетика аналогичен в магнитооптических свойствах вектору I ферро - или ферримагнетика. Например, наличие нормальной компоненты L на поверхности не вызывает появления полярного эффекта Керра. Более того, даже переориентация вектора L в антиферромагнетике может не сопровождаться большими нечетными магнитооптическими эффектами. Дело, по-видимому, обстоит таким образом, что те же микроскопический механизмы, которые приводят к появлению поля Дзялошинского и вектора ms, приводят также и к появлению аномально больших недиагональных компонент тензора диэлектрической проницаемости, которые изменяют знак при переориентации векторов ms, L и HJD и тем самым вызывают аномально большие линейные по ms магнитооптические эффекты в слабых ферромагнетиках.  [9]

Это не означает, однако, что вектор L слабого ферромагнетика аналогичен в магнитооптических свойствах вектору I ферро - или ферримагнетика. Например, наличие нормальной компоненты L на поверхности не вызывает появления полярного эффекта Керра. Более того, даже переориентация вектора L в антиферромагнетике может не сопровождаться большими нечетными магнитооптическими эффектами. Дело, по-видимому, обстоит таким образом, что те же микроскопический механизмы, которые приводят к появлению поля Дзялошинского и вектора ms, приводят также и к появлению аномально больших недиагональных компонент тензора диэлектрической проницаемости, которые изменяют знак при переориентации векторов ms, L и HD и тем самым вызывают аномально большие линейные по ms магнитооптические эффекты в слабых ферромагнетиках.  [10]

Измерительная ячейка с ОДР АК строится с использованием либо распределенной связи резонатора с диэлектрическим волноводом, либо сосредоточенной связи через коаксиальный зонд, поднесенный к диску в его плоскости. В случае применения ОДР с металлическими отражающими поверхностями ( см. рис. 1.6 д) измерения отличаются повышенной точностью ( погрешность менее 0 1 %) и могут быть проведены в широком диапазоне частот на одном и том же исследуемом ДЭ, который целесообразно выполнять в форме цилиндра. На основе такого ДР может быть выполнена конструкция измерительной ячейки. Другой вариант возбуждения реализуется с помощью коаксиальной линии, расположенной вдоль радиуса ДЭ вблизи поверхности раздела воздух - диэлектрик. Измерение компонент тензора диэлектрической проницаемости одноосных кристаллов удобно проводить по спектру Eomi колебаний рассматриваемого ЭДР.  [11]



Страницы:      1