Cтраница 3
Первичная кристаллизация сплавов начинается с выделения фазы, обогащенной избыточным компонентом, по сравнению с его концентрацией в эвтектике. [31]
Отжиг 2-го рода вызывает распад пересыщенного твердого раствора, выпадение избыточных компонентов в виде интерметаллидов и разупрочнение сплава. Он применяется обычно после закалки и старения перед холодной штамповкой. Температура отжига зависит от Г - х-диаграммы состояния сплава, начальной и требуемой структур, а также минимизации времени процесса ( l - s - 2 ч) и затрат энергии. После отжига прочность понижается, пластичность несколько увеличивается и возрастает сопротивляемость коррозии под напряжением. [32]
Следовательно, форма кривой зависимости оптической плотности раствора от концентрации избыточного компонента дает возможность судить о составе комплекса. [33]
Содержания остальных вполне подвижных компонентов, а также примесей, обособленных и избыточных компонентов, при этом не учитываются, как будто они в составе изображаемых минералов отсутствовали. [34]
Варианты распределения потока холод. [35] |
Вместе с тем увеличение высоты слоя вызывает необходимость резкого увеличения количества избыточного компонента. [36]
Подставляя сюда формулы минералов и уравновешивая содержание в обеих частях уравнения вполне подвижных и избыточных компонентов, получим полное уравнение реакции. [37]
Ниже будет показано, как режим охлаждения влияет на форму нахождения атомов избыточного компонента в кристалле. [38]
В работе [34 ] найдено, что период идентичности ZnTe не зависит от избыточного компонента и составляет 6 102 0 0005 А. [39]
Тогда величина Кр, определится согласно ( VII, 5) только давлением избыточного компонента. [40]
В работе [2] этот вопрос рассмотрен более обстоятельно; найдено также распределение концентрации избыточных компонентов. Рассмотрим эту процедуру в случае трех ионных компонентов, причем будем предполагать, что третий присутствует в малом количестве. В нулевом приближении можно принять, что компонент с малой концентрацией отсутствует, и вычислить потенциал и концентрацию избыточных компонентов методом, пригодным для бинарных электролитов ( разд. [41]
Необходимо иметь в виду, что при высоких температурах восходящая диффузия примеси и избыточных компонентов кристаллизуемого вещества под действием поля напряжений дислокаций может способствовать локальному увеличению их концентрации. В результате на дислокациях могут возникать частицы макроскопических размеров. На рис. 50 а - в представлена кинетика данного эффекта в поле линейных и геликоидальных дислокаций в монокристаллах иттрий-алюминиевого граната. [43]
Каждая из перечисленных фаз способна до нек-рого предела растворять в себе соседние фазы или избыточные компоненты. Кроме этих электронных фаз в рассматриваемых системах имеются еш з и другие интерметаллич. [44]
Схема строения кристалла кварца с выделениями серицита ( 1, 2, 3, 4 образовавшимися в процессе роста кристалла. [45] |