Запоминающий конденсатор

Cтраница 1

Схема запоминающей ячейки с сег-нетоэлсктрическим конденсатором. [1]

Запоминающий конденсатор заполняется сеанепюэлектри-ками, обладающими свойством сохранять остаточную поляризацию по окончании импульса возбуждающего напряжения ( диэлектрич. [2]

Поскольку запоминающий конденсатор С3 изолирован от разрядной шины ШРСч, то считывание информации является неразрушающим. Регенерация хранимой информации осуществляется в результате последовательно проводимых циклов считывания и записи. При этом необходимым является инвертирование считанного информационного сигнала, так что полный цикл регенерации занимает три такта. [3]

Величины емкостей запоминающих конденсаторов определяют потери напряжения при хранении информации. Разряд конденсаторов происходит через сопротивление изоляции контактов, поэтому при разработке РСИ на шаговых искателях необходимо обращать внимание на материал контактной платы и состояние ее поверхности. [4]

Поскольку емкость запоминающего конденсатора имеет обычно величину от микрофарад до сотен микрофарад, то к нему применимы соображения по выбору конденсатора, изложенные в разделе о нормализации сигнала. Имеется дополнительное обстоятельство: если не соблюдается порядок переключения, при котором замыканию ключа предшествует полное его отключение от выходной пары контактов, то на конденсатор или на вход усилителя может попасть синфазная помеха. Эта проблема может быть решена применением ключа с соответствующими характеристиками, последовательной организацией управляющих сигналов при использовании раздельных ключей или задержкой срабатывания группового ключа на время, достаточное для гарантированного переключения обоих контактов. [5]

Запоминающий элемент динамического ЗУ. а схема. б конструкция. [6]

Ключевой транзистор отключает запоминающий конденсатор С3 от линии записи-считывания ( ЛЗС) или подключает его к ней. Сток транзистора не имеет внешнего вывода и образует одну из обкладок конденсатора. Другой обкладкой служит подложка. [7]

Что касается выбора запоминающего конденсатора, то его емкость С должна быть как можно больше, но при этом должны учитываться также размеры, стоимость и добротность. [8]

ЗЭ на МДП-транзисторах разной проводимости. [9]

Постоянная времени разряда запоминающего конденсатора имеет порядок 1012 Ом х 1СН2 Ф 1 с. Для предотвращения самопроизвольного стирания информации необходимо, чтобы в каждой ячейке за это время произошло обращение. [10]

Поскольку увеличение емкости запоминающего конденсатора, достигаемое за счет увеличения площади р-п-перехода истока МДП транзистора, автоматически приводит к увеличению площади ЗЭ, то более эффективным является увеличение емкости за счет создания дополнительного слоя поликристаллического кремния, играющего роль одной из обкладок конденсатора. [11]

С - емкость запоминающего конденсатора, и постоянная времени, равная задержке в усилителе, которая обычно незначительна. [12]

Динамические ОЗУ с запоминающим конденсатором наиболее часто используются в современных микропроцессорных системах в качестве ОЗУ. Объем такого ОЗУ достигает 1 Гбайт и более. [13]

Диод Д5 препятствует разряду запоминающего конденсатора С / на нагрузку выпрямительного моста в тех случаях, когда длительность сигнала А будет меньше 0 9 сек. Сопротивление R1 служит для ограничения тока заряда конденсатора и выбирается из условия получения необходимой величины постоянной времени заряда. [14]

Схема коррекции состоит из запоминающего конденсатора, подключаемого к одному из двух входов электрометрического усилителя ( к сетке правой половины лампы 2Э2П), бездрейфового усилителя постоянного тока с малой полосой пропускания в цепи дополнительной обратной связи, а также соответствующих коммутирующих реле. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5