Cтраница 4
Напряжение 1 / дг преобразуется интегратором AJ с запоминающим конденсатором С в дискретизованное непрерывное напряжение Uc ивых ( см. рис. 5.18, б), пропорциональное абсолютному значению изменения промышленной частоты. ST определяют положительную и отрицательную ветви проходной характеристики ЭС частоты. [46]
Восстановление уменьшающегося с течением времени информационного заряда на запоминающем конденсаторе осуществляется в результате периодического подключения конденсатора к источнику питания. [47]
![]() |
Блочное ЗУ на сдвиговых регистрах. [48] |
Так же как в динамических ЗУПВ, в качестве запоминающего конденсатора в большинстве динамических регистров используются емкость затвора МДП транзистора и связанные с ней паразитные емкости р-я-переходов. [49]
Формирование прямоугольного импульса с длительностью, равной времени разряда запоминающего конденсатора, осуществляется обычно триггерами с эмиттерной или катодной связью. Иногда используются УПТ с большим коэффициентом усиления. [50]
Мы рассмотрим некоторые возможные конфигурации выходных запоминающих усилителей на запоминающем конденсаторе и полевом транзисторе. [51]
В течение этапов второго типа изменяются положения переключателей и перезаряжаются запоминающие конденсаторы. Все остальные аналоговые элементы схемы при этом, как правило, бездействуют. Так происходит именно потому, что цифровые элементы с самогона-чала понадобились нам для управления работой аналоговых элементов. [52]
![]() |
Уменьшение токов утечек МДП-транзистора ( а и коммутационной помехи ( б в устройствах выборки - хранения. [53] |
Обычно превалирует время выборки, основной составляющей которого является заряд запоминающего конденсатора. Длительность этого процесса прямо пропорциональна емкости конденсатора С3, а погрешность УВХ обратно пропорциональна этой емкости. Компромиссным решением является построение двухкаскадного УВХ. [54]
![]() |
Компараторное УВЗ [ IMAGE ] Запоминающий элемент с. [55] |
Необходимое время записи в замкнутом УВЗ определяется постоянной времени заряда запоминающего конденсатора, а также максимальным выходным током и максимальной скоростью изменения напряжения на выходе ОУ. [56]
Погрешности хранения определяются токами утечки разомкнутого ключа, БУ и запоминающего конденсатора. [57]
![]() |
Схемы формирования плоской вершины сигнала. [58] |
На рис. 24, б изображена схема, использующая разряд запоминающего конденсатора через транзистор и лишенная указанного недостатка. Конденсатор памяти Сг заряжается через диод Дг до пикового значения амплитуды входного сигнала. Одновременно с этим запирается ключевой транзистор Т2, база которого шунтирована конденсатором С2, а эмиттер находится под отрицательным напряжением. [59]
Сравнение потоков излучения производится путем измерения величины отношения напряжений на запоминающих конденсаторах. [60]