Диффузионный конденсатор
Cтраница 1
Диффузионный конденсатор, как и другие элементы интегральной микросхемы, должен быть изолирован от остальных элементов и от подложки интегральной микросхемы. Часто эта изоляция осуществляется р-я-переходом. [1]
Диффузионные конденсаторы работают только при наличии на них обратного напряжения, которое должно быть постоянным для получения постоянной емкости. Так как барьерная емкость является нелинейной, то диффузионный конденсатор может работать в качестве конденсатора переменной емкости, регулируемой электрически - путем изменения постоянного напряжения на конденсаторе. Изменяя обратное напряжение в пределах 1 - 10 В, можно изменять емкость в 2 - 2 5 раза. В некоторых схемах РЭА должны применяться нелинейные конденсаторы. Их функции могут выполнять диффузионные конденсаторы. [2]
 |
Конденсаторы полупроводниковых микросхем. [3] |
Диффузионные конденсаторы ( рис. 22.2, о) образуются смещенным в обратном направлении р - гг-переходом. Для данного материала емкость является функцией площади перехода, концентрации примесей и приложенного напряжения. Емкость р - / г-перехода имеет линейную зависимость от напряжения. [4]
Диффузионный конденсатор, как и другие элементы интегральной микросхемы, должен быть изолирован от остальных элементов и от подложки интегральной микросхемы. Часто эта изоляция осуществляется p - n - переходом. [5]
Диффузионные конденсаторы, использующие эмиттерную емкость транзисторной структуры, имеют большую удельную емкость по сравнению с конденсаторами на коллекторном переходе. [6]
 |
Возможная конфигурация пленочного резистора. [7] |
Качество диффузионных конденсаторов, как и других конденсаторов, и их пригодность для применения в интегральных микросхемах необходимо оценивать по их технологической совместимости с технологией других ( в первую очередь активных элементов) интегральных микросхем и по таким основным параметрам, как диапазон номинальных значений емкости ( или удельная емкость), пробивное напряжение, величина добротности, допуски по емкости. [8]
 |
Структура диффузионного конденсатора с использованием барьерной емкости коллекторного перехода транзисторной структуры ( диффузия доноров для формирования эмит-терной области не проводилась. [9] |
Качество диффузионных конденсаторов, как и других конденсаторов, и их пригодность для применения в интегральных микросхемах необходимо оценивать по их технологической совместимости с технологией других ( в первую очередь активных) элементов интегральных микросхем и по таким основным параметрам, как диапазон номинальных значений емкости ( или удельная емкость), пробивное напряжение, добротность, допуски по емкости. [10]
 |
Диффузионные конденсаторы и их эквивалентные схемы.| Конденсатор структуры МДП. а - конструкция. б - эквивалентная схема. [11] |
Перечисленные недостатки диффузионных конденсаторов ограничивают возможность их применения. Они используются, как правило, только в качестве ускорительных конденсаторов в цифровых схемах и в фильтровых цепях. [12]
 |
Возможная конфигурация пленочного резистора. [13] |
Диапазон номинальных значений емкости диффузионных конденсаторов, которые могут быть сформированы на отведенных для них площадях монокристалла полупроводника, определяется концентрацией примесей в прилегающих к переходу областях. Диффузионные конденсаторы, использующие эмиттерную емкость транзисторной структуры, имеют большую удельную емкость по сравнению с конденсаторами на коллекторном переходе. [14]
Почему и как емкость диффузионного конденсатора зависит от напряжения постоянного смещения. [15]
Страницы: 1 2 3 4