Диффузионный конденсатор
Cтраница 2
Диапазон номинальных значений емкости диффузионных конденсаторов, которые могут быть сформированы на отведенных для1 них площадях монокристалла полупроводника, определяется концентрацией примесей в прилегающих к переходу областях. Диффузионные конденсаторы, использующие эмиттерную емкость транзисторной структуры, имеют большую удельную емкость по сравнению с конденсаторами на коллекторном переходе. [16]
Почему и как емкость диффузионного конденсатора зависит от напряжения постоянного смещения. [17]
 |
Диффузионные резисторы полупроводниковых ИС.| Диффузионный конденсатор полупроводниковой. [18] |
Типичным для полупроводниковых ИС является диффузионный конденсатор, в котором используется барьерная емкость п-р-перехода. Емкость такого конденсатора, структура которого показана на рис. 9 - 16, зависит от площади перехода, диэлектрической проницаемости полупроводника и толщины перехода, которая, в свою очередь, зависит от концентрации примесей. Если нужна большая емкость, то используют переход, сделанный одновременно с эмиттерными переходами транзисторов. Температурный коэффициент емкости ( ТКЕ) составляет примерно - 10 - 3К - 1, пробивное напряжение не превышает 10 В. [19]
В большинстве случаев для создания диффузионных конденсаторов не требуется дополнительных технологических операций, поскольку используются те же переходы, что и в транзисторной структуре. [20]
Почему не используют прямого смещения р-п-перехода диффузионного конденсатора. [21]
 |
Структура биполярной кремниевой интегральной микросхемы. [22] |
Конденсаторы в ИПМС бывают двух типов: диффузионный конденсатор ( рис. 17 - 2 а), в качестве которого используется емкость р-п перехода и тонкопленочный конденсатор ( рис. 17 - 2 6), который изготавливается на специальных участках поверхности кремниевой подложки. При этом в качестве диэлектрика используется двуокись кремния, полученная на этих участках подложки окислением или осаждением. Второй обкладкой конденсатора служит алюминиевый слой. [23]
Почему не используют прямого смещения электронно-дырочного перехода диффузионного конденсатора. [24]
 |
Сечение диф. [25] |
Добротность - величина, обратная тангенсу угла диэлектрических потерь диффузионных конденсаторов, обычно значительно ниже добротности дискретных конденсаторов с диэлектрической изоляцией. [26]
Добротность - величина, обратная тангенсу угла диэлектрических потерь диффузионных конденсаторов, обычно значительно ниже добротности дискретных конденсаторов с диэлектрической изоляцией. Однако стоимость формирования диффузионных конденсаторов мала, так как они создаются в едином технологическом процессе с другими элементами интегральной микросхемы. Поэтому диффузионные конденсаторы широко используют в интегральных микросхемах, когда можно мириться с низкой добротностью. [27]
Повышению частоты усиливаемых сигналов препятствуют трудности в изготовлении соответствующих катушек индуктивности, ограниченная емкость пленочных и диффузионных конденсаторов, а также пониженный частотный диапазон полупроводниковых интегральных транзисторов и резисторов. [28]
С повышением частоты усиливаемых сигналов возникают дополнительные трудности с изготовлением соответствующих катушек индуктивности, с ограниченной емкостью пленочных и диффузионных конденсаторов, а также с пониженным частотным диапазоном полупроводниковых интегральных транзисторов и резисторов. [29]
В ИМС, имеющих три р-п перехода, создаваемый одновременно с биполярным транзистором любой из переходов может быть использован как диффузионный конденсатор. [30]
Страницы: 1 2 3 4