Конструкция - микросхема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Второй закон Вселенной: 1/4 унции шоколада = 4 фунтам жира. Законы Мерфи (еще...)

Конструкция - микросхема

Cтраница 1


Конструкция микросхемы состоит из трех частей: кристалла, корпуса для защиты кристалла от климатических и механических воздействий и удобства монтажа, а также проводников для электрической связи между кристаллом и выводами корпуса.  [1]

Конструкция микросхемы допускает трехкратное воздействие групповой пайки и лужения выводов горячим способом без применения теплоотвода при температуре групповой пайке не более 265 С в течение не более 4 с.  [2]

Конструкция микросхем допускает трехкратное воздействие групповой пайки и лужение выводов горячим способом без применения теплоотвода. Групповая пайка осуществляется при температуре не свыше 265 С в течение не более 4 с, ручная пайка - при температуре паяльника не более 360 С, время пайки не более 4 секунд с применением теплоотвода.  [3]

Конструкция микросхемы состоит из трех частей: кристалла, корпуса для защиты кристалла от климатических и механических воздействий и удобства монтажа, а также проводников для электрической связи между кристаллом и выводами корпуса.  [4]

Конструкция микросхемы состоит из трех частей: кристалла, корпуса для защиты кристалла от климатических и механических воздействий и удобства монтажа, а также проводников для электрической связи между кристаллом и выводами, корпуса.  [5]

Конструкция микросхемы состоит из трех частей: кристалла, корпуса для защиты кристалла от климатических и механических воздействий и удобства монтажа, а также проводников для электрической связи между кристаллом и выводами корпуса.  [6]

Конструкция микросхемы выпускаются в прямоугольных металлокера-мических корпусах 201.14 - 10 с перпендикулярным расположением выводов.  [7]

Конструкция микросхемы состоит из трех частей: кристалла, корпуса для защиты кристалла от климатических и механических воздействий и удобства монтажа, а также проводников для электрической связи между кристаллом и выводами корпуса.  [8]

Конструкции микросхем не ограничиваются только представленными типами корпусов, так как фирмы-изготовители могут выпускать любые варианты стандартных и нестандартных корпусов.  [9]

Конструкция микросхем планарно-эпитаксиальнопо типа анало-шчна плаларно-диффузионным. Однако их структуру создают путем эп итаисиального наращивания тонкого монокристаллического слоя кремния n - типа на относительно ( высакоомную подложку р-типа и методами последовательной двойной локальной диффузии легирующих примесей IB элит аксиальный слой. Формирование локальных областей в полупроводниковом кристалле под элементы схемы, определяется методом изоляции. Так, изоляция элементов абеспенивается путем односторонней селективной разделительной) диффузии акцепторной примеси на всю толщину эпитакси-ального слоя. При этом образуются локализованные области эпи-таксиалышго слоя с проводимостью / г-типа, окруженные со всех сторон изолирующими областями р-типа. Для формирования транзисторной структуры в этих областях используют только два по следовательных процесса диффузии.  [10]

11 Структурная схема импульсного стабилизатора постоянного напряжения ( а, временные диаграммы выходного напряжения ( б. [11]

Конструкция микросхемы серии К142 позволяет устанавливать их на теплоотводящий радиатор, благодаря чему увеличивается максимально допустимая мощность, рассеиваемая стабилизатором.  [12]

Параметры конструкции микросхем повышенного уровня интеграции, располагаемые на двух слоях платы, могут быть рассчитаны по следующим формулам.  [13]

При этом конструкция микросхемы представляет собой изолированные островкя с элементами, электрически и механически объединенные балочными выводами.  [14]

Корпус интегральной микросхемы часть конструкции микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних воздействий и соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов.  [15]



Страницы:      1    2    3