Конструкция - микросхема
Cтраница 2
На втором этапе проектируют конструкцию микросхемы и усилителя в целом. Задача проектирования на втором этапе является самостоятельной и специфической и здесь не рассматривается. [16]
Конструкторско-технологический этап включает разработку топологии и конструкции микросхемы, технологии ее изготовления, а также их испытания. [17]
Метод изоляции элементов также существенно влияет на конструкцию микросхемы. В полупроводниковых интегральных микросхемах для изоляции элементов наиболее широко применяют последовательное соединение двух обратно смещенных р-п-перехо-дов. [18]
При разработке технической документации или при составлении описаний конструкций микросхем ГОСТ обязывает пользоваться общими терминами ( корпус, подложка, плата, пластина, кристалл), а также некоторыми специальными, которыми определяются особенности внутреннего строения микросхем. [19]
Композиции для толстых пленок являются, основой образования твердотельной - / конструкции микросхем. С целью по - г вышения их выходных характеристик должны быть выявлены и изучены J критерии согласования всех элемен - - 4 тов, составляющих твердотельную кон - - струкцию. [21]
Причины, которые привели к указанным преимуществам, станут ясны после рассмотрения конструкции микросхем. [22]
Это не только резко увеличивает плотность монтажа, но и позволяет значительно упростить конструкцию микросхем, что в свою очередь создает потенциальную возможность высокой механизации и автоматизации изготовления таких микросхем. [23]
Определенную роль в снижении прочности термокомгарессион-ных соединений играет то, что электрические выводы представляют собой элемент конструкции микросхемы, обладающий своим центром тяжести, смещенным относительно общего центра тяжести. Вследствие этого место термокомпрессии подвержено значительным механическим воздействиям аир и ударах и вибрациях. [24]
Необходимо заметить, что такой способ получения ряда типоразмеров плат часто вступает в противоречие с особенностями конструкции микросхем высокого уровня интеграции, в которых необходимо максимально использовать монтажную поверхность корпуса. [25]
Сравнительно невысокое быстродействие не является принципиальным свойством КМОП-структур, это временное явление, которое преодолевается по мере совершенствования конструкции микросхем и их технологии. [26]
За последние 15 лет в мировой микроэлектронике на основе проведенных научно-исследовательских работ и подготовки соответствующих специалистов сменилось несколько поколений специального технологического оборудования для проведения операций производства ИМС, несколько раз повышались требования к чистоте используемых на этих операциях материалов и реагентов, было разработано много новых технологических операций и введено много новых материалов в конструкцию микросхем. [27]
Следует также отметить и такую общую тенденцию, как повышение функциональной нагрузки, заключающуюся в том, что один и тот же элемент, в данном случае подложка, должен выполнять несколько различных и часто противоречивых функций. Известны, например, конструкции микросхем, в которых подложка выступает в качестве элемента корпуса и, следовательно, должна обеспечивать и герметизацию микросхемы. [28]
Существенным недостатком стекла является его низкая теплопроводность, которая на порядок меньше теплопроводности керамики. Однако именно в сочетании со стеклом созданы конструкции микросхем с малым тепловым сопротивлением. В этих конструкциях мощные навесные тепловыделяющие элементы размещаются на пьедесталах из ковара, впаянных в стекло, а элементы с малым тепловыделением, но требующие качественной подготовки поверхности, наносятся на полированное стекло. [29]
Диэлектрические материалы выполняют в толстопленочных схемах две основные функции - изоляции в пересечениях и диэлектрика в конденсаторах. Кроме того, они используются при защите конструкций микросхем. [30]
Страницы: 1 2 3