Конструкция - тиристор
Cтраница 1
Конструкция тиристора схематически изображена на рис. 2.36, а. Внутренние области ( пъ р2) называются базами, крайняя ргобласть анодом, а крайняя па-область - катодом. [1]
 |
Конструкция триодного тиристора. [2] |
Конструкция тиристора показана на-рис. [3]
Конструкция тиристоров с регенеративным управлением бывает двух разновидностей, а именно с регенеративным управлением по току и по напряжению. [4]
Конструкция тиристора с регенеративным управлением по напряжению схематически показана на рис. 10.10. В этом случае металлизация катодного слоя n4 со стороны, обращенной к управляющему электроду, имеет разрыв. При этом металлизация участка а слоя rai, непосредственно прилегающего к управляющему электроду G, накоротко замкнута с металлизацией базового слоя р2 на участке Ь, играющего роль дополнительного электрода управления. [5]
 |
Структура тензочувст - [ IMAGE ] Структура тензочув-вительного транзистора с барье - ствительного тиристора с барьером Шоттки в качестве контакта ром Шоттки в качестве кон-к базе такта к базе. [6] |
Конструкции тензочувствительных тиристоров принципиально не отличаются от рассмотренных выше транзисторов. Поскольку вольт-амперная характеристика тиристора (5.25) зависит от / к. [7]
 |
Устройство тиристора ( а. структура тиристора, представленного в виде двух биполярных транзисторов ( й. принципиальная схема и то-кораспределение внутри тиристора ( в. [8] |
Представим конструкцию тиристора в виде двух условных транзисторов. Эмиттерным переходом для первого транзистора является первый переход, а для второго транзистора - третий переход. Второй переход служит общим коллекторным переходом обоих транзисторов. При этом полярность напряжений на переходах соответствует той, которая требуется для работы обоих транзисторов в усилительном режиме: эмиттерные переходы смещены в прямом направлении, коллекторный - в обратном. [9]
Величина Лт зависит от конструкции тиристора и охладителя ( радиатора), от способа и интенсивности охлаждения и от времени, прошедшего с момента начала нагрева структуры. Тепловое сопротивление уменьшается при увеличении скорости обдува охладителя или увеличении расхода воды в тиристорах с водяным охлаждением; минимальное в начале нагрева, тепловое сопротивление становится максимальным ( установившимся) RT Луст, когда температура охладителя установится на определенном уровне нагрева. Графики зависимости величины RT от условий охлаждения и времени нагрева приводятся для типовых конструкций охладителей в справочной литературе и каталогах тиристоров. [10]
Наиболее широко на практике применяется конструкция тиристора с регенеративным управлением по току. [12]
 |
Конструкция мощных тиристоров. [13] |
На рис. 12 а показана конструкция штыревого тиристора, основание которого 2 изготовляется из меди совместно с нарезным болтом 7 для обеспечения электрического и теплового контакта с охладителем. Тиристоры с плоским основанием корпуса ( рис. 12 в) имеют медный фланец 7 для крепления прибора болтами к охладителю. Крышки корпусов в обоих типах тиристоров выполняются в металлостеклянном или металлокерами-ческом исполнении. [14]
 |
Структура ( э и вольт-амперная характеристика ( б диодного тиристора. [15] |
Страницы: 1 2