Конструкция - тиристор
Cтраница 2
Напряжение С / вкл определяется конструкцией тиристора - толщинами, геометрией и уровнями легирования п - ир-областей. [16]
 |
Конструкция мощно - го тиристора.| Конструкция тиристора таблеточного типа, рассчитанного на допустимый анодный ток 300 А. [17] |
Для повышения эффективности охлаждения кремниевой пластинки с тиристорной структурой применяют конструкции тиристоров таблеточного типа. Такие конструкции изготавливают с металлическими корпусами и стеклянными проходными изоляторами или с керамическими корпусами и изоляторами из заполимеризован-ных эпоксидных компаундов, или с металлокерамическими корпусами. [18]
Задачу равномерного включения можно успешно решить с помощью фотозапуска, если конструкция тиристора обеспечивает равномерную фотогенерацию носителей заряда в базах тиристора. Одна из таких конструкций представлена на рис. 3.16. В этой конструкции каждый из изолированных друг от друга я-эмиттеров имеет свой вывод, который может выполнять роль токораспределительно-го сопротивления, что позволяет решить и вторую проблему импульсных тиристоров, так как предотвращает термическое шнурование. [19]
Для повышения эффективности охлаждения кремниевой пластинки с тиристорной структурой в последнее время применяют конструкции тиристоров таблеточного типа. [20]
 |
Вольт-амперная характеристика тиристора.| Зависимость коэффициентов передачи тока от анодного тока тиристора. [21] |
В связи с этим напряжение на приборе оказывается приложенным практически ко второму переходу, через который проходит ток / к. Представим конструкцию тиристора в виде двух условных транзисторов. Эмиттерным переходом для первого транзистора является первый переход, а для второго транзистора-третий переход. Второй переход служит общим коллекторным переходом обоих транзисторов. При этом полярность напряжений на переходах соответствует той, которая требуется для работы обоих транзисторов в усилительном режиме: эмиттерные переходы смещены в прямом направлении, коллекторный - в обратном. [22]
Тиристор имеет три р - тг-перехода: 1, 2 и 3, причем направление проводимости переходов 1 и 3 совпадает с прямым напряжением тиристора, а направление проводимости перехода 2 противоположно прямому напряжению. На рис. 163 показана в разрезе конструкция тиристора. [23]
Тиристоры типов Т2 - 750 и Т2 - 1000 состоят из двух камер водяного охлаждения и тиристорного элемента, скрепленных между собой пайкой. Герметизация этих тиристоров осуществляется с помощью эпоксидной заливочной массы, которая изолирована от р-п структуры. Отличительной особенностью конструкции тиристоров Т2 является отсутствие контактного промежутка тиристор - охладитель. [24]
Двухоперационный ( выключаемый) тиристор представляет собой четырехслойную структуру, которая включается подачей положительного напряжения на управляющий электрод, а выключается подачей на этот электрод отрицательного импульса. Эти тиристоры широко применяют в импульсных генераторах, высокоскоростных мощных устройствах, так как они выдерживают большие напряжения в закрытом состоянии. Конструкция их подобна конструкции обычных тиристоров. [25]
Страницы: 1 2