Конструкция - транзистор
Cтраница 2
На рис. 5.12 показана конструкция транзистора для сверхскоростных ЭСЛ-схем, использующая метод локального окисления в базовой области. Межсоединения выполнены из поликристаллического Si n - и р - типа. [17]
На рис. 4.4 показана конструкция транзистора, имеющего большую мощность рассеяния. Здесь осуществлен непосредственный тепловой контакт с корпусом прибора, для чего индиевый коллектор припаивают к дну корпуса прибора. При этом тепловое сопротивление между корпусом и прибором снижается до 0 5 - 1 С / Вт, что позволяет рассеивать на коллекторе мощность до 100 - 150 Вт и более. [18]
 |
Учет барьерных емкостей р-п переходов. [19] |
К числу пассивных элементов конструкции транзистора прежде всего относят барьерную емкость коллекторного перехода Ск и объемное сопротивление области базы / б ( рис. 2 - 50, а), влияние которых бывает заметным уже на частотах, равных десяткам килогерц. На этом рисунке емкость коллекторного перехода разделена на две составляющие: СК1, создающую на ВЧ внутреннюю обратную связь, и С 2, вносимую только во внешние цепи. [20]
Запоминающей средой является элемент конструкции транзистора, где хранится информация в виде заряда. В зависимости от вида запоминающей среды в транзисторе РПЗУ подразделяют на два класса: РПЗУ на приборах с захватом и РПЗУ на транзисторах с плавающим затвором. [21]
 |
Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном. [22] |
Тепловое сопротивление переход-корпус зависит от конструкции транзистора и может быть определено из области максимальных режимов. [23]
Как видно из сказанного, конструкция транзисторов такова, что они легко переносят любые ускорения, даже беспилотной авиации, и эти ускорения совершенно не влияют на работу усилителей. [24]
На рис. 16.20 6 показана конструкция МДП транзистора. Это слой выполняет функцию встроенного канала. [25]
На рис. 16.20 6 показана конструкция МДП транзистора. Здесь в исходном полупроводниковом материале / j - типа, называемом подложкой, создается слой - типа. Это слой выполняет функцию встроенного канала. [26]
Величина сопротивления базы rg определяется конструкцией транзистора и удельным сопротивлением материала базы. [27]
Значение RT п к зависит от конструкции транзисторов. По ее значению транзисторы делят на маломощные и мощные. [28]
 |
Нагрузочный МДП транзистор, работающий в пологой области.| Характеристики ивых. ( Увх для случая, когда истоки соединены с подложкой. [29] |
К - постоянная, зависящая от конструкции транзистора; р - - потенциал Ферми для полупроводника; L / 3, п - напряжение затвор-подложка. [30]
Страницы: 1 2 3 4