Конструкция - транзистор
Cтраница 3
Наиболее пригодной для микромощных ИМС является одно-полосковая конструкция транзистора, показанная на рис. 2.17, а. Для двухбазовой полосковой конструкции ( рис. 2.17, 6, в) характерно низкое сопротивление базовой области и повышенный по сравнению с предыдущей конструкцией коэффициент передачи тока. [31]
Как уже говорилось, благодаря особенностям конструкции транзистора основная часть тока эмиттера замыкается через цепь коллектора. Ar K J A / 6, следовательно, коэффициент усиления тока базы В всегда заметно больше единицы. [32]
Оба этих эффекта могут быть устранены в конструкции транзистора с гетеропереходом в качестве эмиттера. Один из вариантов энергетической диаграммы такой структуры показан на рис. 3.4. Вследствие того, что в качестве эмиттера используется материал с большей шириной запрещенной зоны, чем базы, потенциальный барьер для дырок значительно больше, чем для электронов. Это позволяет осуществлять практически одностороннюю инжекцию электронов в базу ( § 1.10) при любых токах эмиттера. Следовательно, у при больших / э не уменьшается. [33]
 |
Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном режиме.| Вид спектра частот выходного сигнала при измерении коэффициента комбинационных составляющих методом двухтоно-вого сигнала. [34] |
Тепловое сопротивление переход - корпус зависит от конструкции транзистора и может быть определено из области максимальных режимов. [35]
На рис. 11 - 50 показаны примеры конструкции транзисторов. [37]
Здесь b - постоянный коэффициент, зависящий от конструкции транзистора и свойств материала, из которого транзистор изготовлен. [38]
 |
Устройство высокочастотного сплавного диффузионного транзистора. [39] |
Конструкция корпусов высокочастотных маломощных транзисторов мало отличается от конструкции транзисторов низкой частоты. Для их герметизации также - используются металлостек-лянные корпуса. [40]
 |
Устройство высокочастотного сплавного диффузионного транзистора. [41] |
Конструкция корпусов высокочастотных маломощных транзисторов мало отличается от конструкции транзисторов низкой частоты. Для их герметизации также - используются металлостек-лянные корпуса. [42]
Для большинства транзисторов желательно получение высокого прямого усиления, и конструкция транзистора предполагает выполнение этого условия. [43]
С помощью этого метода можно выявлять резонансные частоты внутренних элементов конструкции транзисторов без предварительного вскрытия исследуемых при-боров, что в совокупности с возможностью записи амплитудно-частотной характеристики резонирующего-элемента определяет его преимущество перед ранее рассмотренными методами. [44]
Рассеиваемая мощность, а также возможность работы на СВЧ определяются конструкцией транзисторов. [45]
Страницы: 1 2 3 4