Cтраница 2
Одним из параметров, определяющим качество фоторезисторов, является его устойчивость к механическим воздействиям и, в частности, к вибрационным перегрузкам. При разработке конструкций фоторезисторов принимают специальные меры к повышению их устойчивости к механическим воздействиям. Тем не менее, при их эксплуатация следует предусмотреть запас по порогу чувствительности, исходя из данных по виброустойчивости конкретного типа приборов. [16]
В микросхемах применяются фоторезисторы в бескорпусном исполнении. На рис. 9.6 приведены конструкции наиболее распространенных фоторезисторов. [17]
Фоторезистор характеризуется следующими основными параметрами. Темновое сопротивление определяется конструкцией фоторезистора и свойствами полупроводникового материала. [18]