Конструкция - фоторезистор
Cтраница 1
Конструкция фоторезистора и технология его изготовления очень просты: на стеклянную пластину / ( рис. 8.2) наносят слой металла - золота, серебра или платины. Для защиты от внешних воздействий фотоэлемент покрывают слоем лака и монтируют в корпус, который оборудован окном для проникновения света и штырьками ( или гибкими выводами) для включения в схему. [1]
 |
Устройство фоторезистора. [2] |
Конструкции фоторезисторов обеспечивают включение в цепь с помощью прижимных контактов при включении в панель ( ФСА-1), посредством пайки ( ФСК-Г7), например для включения в мостовую схему. [3]
Конструкция фоторезистора и технология его изготовления очень просты: на стеклянную пластину / ( рис. 12 - 4, а) наносят слой золота, серебра или платины. В металлическом слое прорезают щель для разделения его на два электрически изолированных электрода 2, от которых делают выводы. Затем на поверхность металла наносится слой полупроводника 4 толщиной не более средней глубины проникновения квантов света. [4]
 |
Устройство фоторезистора. [5] |
Конструкции фоторезисторов обеспечивают включение в цепь с помощью прижимных контактов ( ФС-КО), посредством включения в обычную панель ( ФС-К1), посредством пайки ( ФС-К7), например для включения в мостовую схему. [6]
Основной частью конструкции фоторезистора является полупроводниковый фоточувствительный слой, который может быть выполнен в виде монокристаллической или поликристаллической пластинки полупроводника или в виде поликристаллической пленки полупроводника, нанесенной на диэлектрическую подложку. В качестве полупроводникового материала для фоторезисторов обычно используют сульфид кадмия, селенид кадмия или сульфид свинца. [7]
Основной частью конструкции фоторезистора является - полупроводниковый фоточувствительный слой, который может быть выполнен в виде монокристаллической или поликристаллической пластинки полупроводника или в виде поликристаллической пленки полупроводника, нанесенной на диэлектрическую подложку. В качестве полупроводникового материала для фоторезисторов обычно используют сульфид кадмия, селенид кадмия или сульфид свинца. [8]
Основной частью конструкции фоторезистора является полупроводниковый фоточувствительный слой полупроводника, который может быть выполнен в виде монокристаллической или поликристаллической пластинки полупроводника или в виде поликристаллической пленки полупроводника, нанесенной на диэлектрическую подложку. В качестве полупроводникового материала для фоторезисторов обычно используют сульфид кадмия, селенид кадмия или сульфид свинца. [9]
Внешний вид некоторых конструкций фоторезисторов показан на ряс. [10]
Описаны основные типы конструкций фоторезисторов, фотодиодов и других фотоприемников для областей спектра от ультрафиолетового до ближнего инфракрасного. Приведены основные параметры одно - и многоэлементннх фотоприемников разных типов на основе различных полупроводниковых материалов. Изложены особенности построения фотоприемных устройств, новые направления их развития, в том числе - матрицы с внутренним сканированием. [11]
 |
Устройство фоторезистора. [12] |
На рис. 9.6 приведены конструкции наиболее распространенных фоторезисторов. [13]
А - постоянная, определяемая свойствами материала и конструкцией фоторезистора; у и а - коэффициенты нелинейности вольт-амперной и световой характеристик. [14]
 |
Влияние окружающей температуры на параметры неохлаждаемых сернисто-свинцовых фоторезисторов. [15] |
Страницы: 1 2