Контакт - сток
Cтраница 1
Контакт стоков с хлором происходит в контактном бассейне в течение 20 - 30 мин. [1]
Продолжительность контакта стоков с реагентами в камере реакции следует принимать 5 - 10 мин для кислых и щелочных стоков и не менее 30 мин для стоков, содержащих ионы тяжелых металлов. [2]
 |
Условные графические обозначения полевых транзисторов. [3] |
Сопротивление стока Rc представляет собой сопротивление участка полупроводника от контакта стока до канала. [4]
 |
Три схемы включения полевого транзистора с управляющим переходом ( с и-каналом. [5] |
В отличие от рис. 13 - 1, я здесь контакты стока и истока для большей наглядности выполнены на торцевых поверхностях кристалла полупроводника. [6]
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора по переменному току.| Семейство выходных вольт-амперных характеристик полевого транзистора с управляющим р-я-пе-реходом. [7] |
Сопротивление стока Rc представляет собой сопротивление участка полупроводника, заключенного между контактом стока и областью канала, непосредственно примыкающей к затвору. [8]
 |
Схема замещения полевого транзистора. [9] |
Кристалл полупроводника обладает объемными сопротивлениями: гс - между концами канала и контактами стока, г - между концами канала и контактами истока. Схема замещения для полевого транзистора представлена на рис. 7.12. В нее входят следующие параметры: Сзи, Сао - входная и проходная емкости; гзи, г30 - входное и проходное сопротивление; rt - внутреннее ( дифференциальное) сопротивление канала транзистора; ги - сопротивление внутренней обратной связи; г0 - сопротивление стока; f / зи - входное напряжение. [10]
Так как точка, в которой исток соединен с каналом, физически удалена от контакта стока, то при вышеописанных измерениях исток может быть соединен с затвором без существенного изменения напряжения пробоя. В этом случае будет измерено напряжение пробоя между стоком и истоком при коротком замыкании затвора с истоком. [11]
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора с управляющим р-п-переходом. [12] |
Сопротивления Rc и Ra представляют собой объемные сопротивления полупроводника на участках между концами канала и контактами стока и истока соответственно. Эти сопротивления могут иметь величины до несколько десятков ом в зависимости от геометрии и технологии изготовления транзистора. Re-Сопротивление Rm оказывает влияние на крутизну характеристики транзистора, уменьшая ее значение подобно сопротивлению в цепи катода электровакуумного триода. [13]
 |
Физическая эквивалентная схема полевого транзистора.| Физическая эквивалентная схема с распределенными параметрами полевого транзистора. [14] |
Сопротивления гс и ги представляют собой объемные сопротивления кристалла полупроводника на участках между концами канала и контактами стока и истока соответственно. [15]
Страницы: 1 2