Контакт - сток
Cтраница 2
Сопротивления гс и г представляют собой объемные сопротивления кристалла полупроводника на участках между концами канала и контактами стока и истока соответственно. [16]
Сопротивления гс и ги представляют собой объемные сопротивления кристалла полупроводника на участках между концами канала и контактами стока и истока соответственно. [17]
 |
Резупьтаты измерений зависимостей холловского сопротивления RH и. [18] |
Для обеспечения высокой точности измерений необходимо иметь большое холловское напряжение, что требует максимально возможного тока через образец. Однако при плотности тока, большей чем 0 05 А / м, электроны разогреваются более чем на 0 2 К и поэтому ширина образца W должна быть достаточно большой. Но при уменьшении отношения длины к ширине L / W все более существенным становится закорачивание холловского напряжения контактами стока и истока, что уменьшает измеряемое холловское сопротивление. [19]
 |
Конструкция MOSFET с вертикальной структурой. [20] |
На рис. 2.18 показана вертикальная структура типового и-канального MOSFET. Затем диффузией донорной примеси ( фосфор) создают исток с высокой концентрацией носителей - типа. Разновидностью структуры, показанной на рис. 2.18, является структура MOSFET с V-образной канавкой, которая применялась в первых типах транзисторов. Как видно из рис. 2.18, контакт стока расположен внизу, на дне кремниевой шайбы, а не в одной плоскости с затвором и истоком, как в маломощном полевом транзисторе. Такая структура позволяет создать максимальную площадь контактов стока и истока в целях снижения сопротивления выводов. Поликремниевый электрод затвора изолирован от металла истока, прилегающего к нему, слоем SiOr Канал в мощном транзисторе формируется на поверхности / - областей снизу от оксида затвора, причем / - области соединены с истоком. [21]
Источником излучения в дальней инфракрасной области спектра служит молекулярный газовый лазер. Расстояние между пластинами, ограничивающими пропускаемый пучок, равно толщине образца и составляет 0 2 - 0 35 мм. Поскольку эффективное расстояние оказывается порядка 10 длин волн, в образце вместо одной чистой поперечной электромагнитной моды распространяется много мод. В отличие от обычного полевого транзистора на ооразцах отсутствуют контакты стока и истока, для генерации электронов в приграничной области используется светодиод. Проведенные эксперименты показали, что при низких температурах инверсионный слой и объем ведут себя как две почти изолированные электрические системы, так как их разделяет толстый обедненный слой, кроме того, соответствующие квазиуровни Ферми, как правило, совпадают. Таким образом, толщина обедненного слоя и величина No6ea f могут быть меньше своих равновесных значений. [23]
 |
Конструкция MOSFET с вертикальной структурой. [24] |
На рис. 2.18 показана вертикальная структура типового и-канального MOSFET. Затем диффузией донорной примеси ( фосфор) создают исток с высокой концентрацией носителей - типа. Разновидностью структуры, показанной на рис. 2.18, является структура MOSFET с V-образной канавкой, которая применялась в первых типах транзисторов. Как видно из рис. 2.18, контакт стока расположен внизу, на дне кремниевой шайбы, а не в одной плоскости с затвором и истоком, как в маломощном полевом транзисторе. Такая структура позволяет создать максимальную площадь контактов стока и истока в целях снижения сопротивления выводов. Поликремниевый электрод затвора изолирован от металла истока, прилегающего к нему, слоем SiOr Канал в мощном транзисторе формируется на поверхности / - областей снизу от оксида затвора, причем / - области соединены с истоком. [25]
Очевидно, МДП структура получится, если непосредственно на подложку последовательно нанести диэлектрический и металлический слои. Такой случай реализуется, если в структуре, показанной на рис. 16.20 6, отказаться от создания области с проводимостью - типа, расположив там часть подложки р-тнпа. Теперь, если к затвору приложить достаточно большой положительный заряд, то по закону электростатической индукции в канале индуцируется соответствующий отрицательный заряд, увеличивается концентрация подвижных носителей и-типа и возникает проводящий канал. Области п используются для создания низкоомных омических ( невыпрямляющих) контактов стока и истока. Они же препятствуют протеканию существенного тока между выходными электродами ПТ при нулевом или отрицательном заряде на затворе. Это объясняется тем, что и - области и часть р-подложки образуют два последовательно встречно включенных между истоком и стоком электронно-дырочных перехода. [26]
Очевидно, МДП структура получится, если непосредственно на подложку последовательно нанести диэлектрический и металлический слои. Такой случай реализуется, если в структуре, показанной на рис. 16.20 6, отказаться от создания области с проводимостью - типа, расположив там часть подложки / ьтипа. Теперь, если к затвору приложить достаточно большой положительный заряд, то по закону электростатической индукции в канале индуцируется соответствующий отрицательный заряд, увеличивается концентрация подвижных носителей - типа и возникает проводящий канал. Области п используются для создания низкоомных омических ( невыпрямляющих) контактов стока и истока. Они же препятствуют протеканию существенного тока между выходными электродами ПТ при нулевом или отрицательном заряде на затворе. Это объясняется тем, что п - области и часть / - подложки образуют два последовательно встречно включенных между истоком и стоком электронно-дырочных перехода. [27]
Страницы: 1 2