Омический контакт

Cтраница 2

Омический контакт с медным проводником создается слоем индия. Неосвещаемую поверхность электрода покрывают эпоксидной смолой. Второй электрод изготовлен из металлической платины. При этом на ТЮ2 - электроде выделяется молекулярный кислород, а на Pt-электроде молекулярный водород. Механизм фотопроцесса состоит в следующем. [16]

Омический контакт не должен быть способен к инъекции ( испусканию) неосновных носителей, так как это может существенно ухудшить работу прибора. Если, например, инъектируемые неосновные носители достигнут р - п перехода, это приведет к заметному увеличению обратного тока прибора. [17]

Омический контакт получают несколькими методами. Наиболее часто применяют метод электрохимического осаждения металла на полупроводниковый материал и метод напыления. Иногда используют локальное ( местное) напыление. [18]

Омический контакт, от которого начинают движение основные носители заряда, называется истоком, а омический контакт, к которому они двигаются через канал, - стоком. Электрод, используемый для управления величиной поперечного сечения канала, называется затвором. При подаче отрицательного напряжения на затвор запирающий слой расширяется, что приводит к сужению токопроводящего канала и к увеличению его сопротивления. [19]

Омический контакт между кремниевым кристаллом и молибденовым держателем осуществляется с помощью того же сплава. [20]

Омический контакт к кремниевой пластине, покрытой слоем алюминия, получают следующим образом. Сначала с алюминиевого покрытия стравливают окисный слой, после чего производят химическое никелирование поверхности алюминия. К осажденному никелю припаивают внешние выводы. [21]

Прямые вольт-амперных характеристик для двух диодов, различающихся по значениям W / Lp. [22]

Омические контакты к n - области создавали вплавлением сплава Аи - Та либо Ni - W. Контакты к диффузионному слою были изготовлены вжиганием серебряной пасты при t s 500 С. Обратное напряжение равно 10 - 25 б при токе 10 - 100 мка. Хотя прямые падения данных диодов относительно невелики, однако наличие последовательного сопротивления величиной 20 - 100 ом нельзя объяснить сопротивлением исходного кристалла n - типа и, тем более, сопротивлением диффузионного слоя. Для появления его необходимо предположить наличие слоя повышенного удельного сопротивления. [23]

Омические контакты используются для присоединения внешних выводов в полупроводниковых приборах. [24]

Устройство сплавного rep - маниевого транзистора.| Четырехслойная структура. [25]

Омические контакты выведены от крайнего р-слоя, являющегося анодом, и крайнего / г-слоя - катода. Вся конструкция размещается в герметическом сварном корпусе. [26]

Омические контакты обычно изготовляют сплавлением, электрохимическим или химическим осаждением, вакуумным испарением, методом термокомпрессии или с помощью ультразвука. [27]

Структуры плоскостных полупроводниковых диодов изготовленных. [28]

Омические контакты создают с помощью напыления А. [29]

Омический контакт получают различными способами; напылением, сваркой, пайкой, химическим нанесением. Готовый тензорезистор обычно покрывают слоем лака. [30]

Страницы: 1 2 3 4