Cтраница 1
Контроль толщины пленки может осуществляться датчиком на кварцевом кристалле, имеющем высокие пьезоэлектрические свойства. Осаждение на поверхности кристалла того или иного количества вещества изменяет его массу и частоту колебаний. Зная плотность вещества, нетрудно перейти к толщине покрытия. [1]
Контроль толщины пленки относительно прост. Сначала определяют скорость осаждения пленки, нанося пленку такой толщины, какую легко измерить. [2]
Для контроля толщины пленки и соединения тонкой пленки с деталями и элементами конструкциии в некоторых случаях на подложках делают проводящие серебряные контакты. [3]
Поэтому способ контроля толщины пленок по их оптической плотности может дать однозначные данные только при строго стандартизированной технологии их приготовления. [4]
Это дает весьма эффективный способ контроля толщины пленки ( пластины), широко используемого в производстве. Точность такого контроля очень большая, поскольку локальное изменение толщины пластины на долю длины волны приводит к заметному невооруженным глазом изменению формы линии. [5]
Помимо видимого света, для контроля толщины пленки, нанесенной на изоляционную подложку, могут использоваться рентгеновские лучи. В основе этого метода лежит изменение интенсивности рентгеновских лучей в результате их поглощения при прохождении через пленку. Поглощение это можно сильно увеличить, если угол ф наклона пучка рентгеновских лучей к поверхности пленки будет очень мал. В этом случае путь, пройденный пучком лучей, составит / i / sinq, где h - толщина пленки. [6]
Однако этот метод является методом контроля толщины пленки при условии постоянства удельного сопротивления и не годится для контроля поверхностного сопротивления. [7]
Акишин и Зазулин [15] применили кварцевый резонатор для контроля толщины пленок, нанесенных на кварц в вакууме. В работе использовано то же свойство кварца, что и в предыдущих работах, но электроды ( они же исследуемые пленки) наносились непосредственно на кристалл кварца. [8]
Толщину пленки принимают по данным отраслевой или заводской нормативно-технологической документации. Для контроля толщины пленки ( а также для ее установления при отсутствии необходимых данных в указанной документации) используют методы и приборы, описанные в гл. [9]
Одним из параметров, влияющих на качество работы полупроводникового прибора, является толщина пленки. В устройствах контроля толщины пленок с применением лазера используют интерференционный метод ( явление интерференции), а в качестве источника излучения - лазер. [10]
Однослойные или двухслойные адгезионные системы наносят на металлические части распылением, погружением, кистью или с помощью валика. Распыление преобладает, особенно в производстве крупных узлов в автомобилестроении. Но независимо от метода для удовлетворительной адгезии и достижения рабочих характеристик при эксплуатации необходим контроль толщины пленки. [11]
Срезанная ножом провальцованная масса снимается в виде ленты и по обогреваемому инфракрасными лампами 5 конвейеру 6 поступает на качающийся транспортер 7, назначение которого - равномерно распределять вдоль приемных валков каландра поступающий материал. Нож 14 служит для поперечной резки пленочного полотна. Регулировка ширины пленки производится перемещением дисковых ножей на устройстве продольной резки. Контроль толщины пленки осуществляется с помощью изотопного толщиномера, принцип действия которого основан на регистрации интенсивности поглощения ч-лучей радиоактивного изотопа пленкой. [12]
При оптических измерениях прозрачных пленок наблюдаются периодические изменения интенсивности света, связанные с многочисленными отражениями света внутри пленки с последующей интерференцией световых пучков. Условия наблюдения интерференционной картины определяются показателями преломления материалов пленки и подложки. Следует отметить, что интерференционный максимум в прошедшем свете совпадает с минимумом в отраженном свете и наоборот. Эти проблемы более подробно рассматриваются в гл. Контроль толщины пленки производится по наблюдению максимальных величин интенсивности света, которые периодически появляются с увеличением оптической толщины пленки на величину, равную четверти длины волны Я света. [13]
Почти во всех случаях применения ЭНП необходимо, не только измерять толщину готовой пленки, но и контролировать ее в процессе нанесения. К наиболее широко применяемым методам измерения толщины относятся оптические, электрические и гравиметрические; реже применяется метод, при котором толщина определяется по смещению иглы профилометра на ступеньке; поверхность подложки - поверхность пленки. Этот метод применим только к пленкам, обладающим достаточно большой твердостью, так как давление, создаваемое иглой, может достигать 50 МПа. В гравиметрических методах определяется изменение массы подложки после нанесения пленки. Для определения толщины необходимо знать плотность материала пленки и ее площадь. Применение автоматических микровесов позволяет во многих случаях вести контроль толщины пленки в процессе ее нанесения. [14]
Установка УВН-2М-1 отличается от базовой конструкции внутрикамерными устройствами, которые имеют шесть позиций испарения, равномерно расположенные по окружности на базовой плите, на пяти из них установлены резистивные испарители, а на шестой - электронный испаритель. Три позиции с резистив-ными испарителями оборудованы устройствами для получения испарения в виде взрыва. Каждая из позиций испарения изолирована от других быстросъемными экранами. На расстоянии 300 мм от испарителей на подвижном диске установлено шесть масок, каждая против одной позиции испарения. Это позволяет производить смену масок и совмещать их с подложками, за счет чего на установке возможно нанесение шести-слойных схем за один вакуумный цикл. Над каруселью подложек имеется электронагреватель, обеспечивающий нагрев подложек до 400 С. Контроль толщины пленок в процессе испарения осуществляется резистивным или резонансно-частотным методом, для чего рядом с каждой подложкой на карусели подложек устанавливается резистивный преобразователь - контрольный образец, а на одной из позиций испарения - преобразователь кварцевого измерителя толщины КИТ-1. Кроме того, в установке предусмотрен контроль толщины пленки по времени осаждения с помощью реле времени. Средства контроля связаны с электромагнитной заслонкой, автоматически перекрывающей поток испаряемого материала при поступлении сигнала о получении заданной толщины. [15]