Cтраница 2
Установка УВН-2М-1 отличается от базовой конструкции внутрикамерными устройствами, которые имеют шесть позиций испарения, равномерно расположенные по окружности на базовой плите, на пяти из них установлены резистивные испарители, а на шестой - электронный испаритель. Три позиции с резистив-ными испарителями оборудованы устройствами для получения испарения в виде взрыва. Каждая из позиций испарения изолирована от других быстросъемными экранами. На расстоянии 300 мм от испарителей на подвижном диске установлено шесть масок, каждая против одной позиции испарения. Это позволяет производить смену масок и совмещать их с подложками, за счет чего на установке возможно нанесение шести-слойных схем за один вакуумный цикл. Над каруселью подложек имеется электронагреватель, обеспечивающий нагрев подложек до 400 С. Контроль толщины пленок в процессе испарения осуществляется резистивным или резонансно-частотным методом, для чего рядом с каждой подложкой на карусели подложек устанавливается резистивный преобразователь - контрольный образец, а на одной из позиций испарения - преобразователь кварцевого измерителя толщины КИТ-1. Кроме того, в установке предусмотрен контроль толщины пленки по времени осаждения с помощью реле времени. Средства контроля связаны с электромагнитной заслонкой, автоматически перекрывающей поток испаряемого материала при поступлении сигнала о получении заданной толщины. [16]