Cтраница 1
Контур линии поглощения, вообще говоря, отличается от контура линии испускания. [1]
Контур линии поглощения для однородного слоя можно рассчитать, если известна температура, концентрация электронов и оптическая плотность слоя. [2]
![]() |
Допплеровский ( / и лорент-цевский ( 2 контуры линии. [3] |
Итак, контур линий поглощения при температурах 1000 - 3000 К и давлениях постороннего газа около 1 атм определяется допплеровским и лорентцевским эффектами. В случае допплеровского контура коэффициент поглощения зависит от частоты экспоненциально. [4]
Необходимо построить контур линии поглощения, не искаженный прибором. Обычно это требует прибора с очень высокой разрешающей способностью. [5]
Необходимо построить контур линии поглощения, не искаженный прибором. Обычно это требует прибора с очень высокой разрешающей способностью. [6]
Тем самым определяется контур линии поглощения в спектре звезды на угловом расстоянии ft от центра диска. [7]
Другим примером применения контуров линий поглощения с высоким разрешением, где обычно встречается спектральное перекрывание, является изотопный анализ. Изотопный анализ методом атомно-абсорбшюнной спектроскопии возможен, когда изотопические сдвиги больше ширины линий в измерительной ячейке. Эти сдвиги должны быть больше, чем сверхтонкое ядерное спиновое расщепление, а контуры линий поглощения различных изотопов не должны перекрываться и создавать один пик за счет столкновительного уширения. Для минимизации столкновительного уширения нужны атомизаторы, работающие при низком давлении типа разряда в полом катоде. [8]
Рассмотрим, как изменяется контур линии поглощения в зависимости от интенсивности / электромагнитной волны. [9]
![]() |
Моменты функции с. ( vj. [10] |
Найденные в предыдущем параграфе контуры линий поглощения в звездных спектрах относятся к случаю, когда все кванты, поглощенные атомом в данной спектральной линии, излучаются им в той же линии. Однако при переносе излучения через звездную атмосферу возможны и более сложные процессы. Важнейшими из них являются два следующих взаимно противоположных процесса: 1) ионизация атома из нижнего состояния с последующей рекомбинацией в верхнее состояние и излучением кванта в линии; 2) поглощение кванта в линии, ионизация из верхнего состояния и последующая рекомбинация в нижнее состояние. Первый из этих процессов ведет к увеличению квантов в рассматриваемой линии, второй - к уменьшению таких квантов. [11]
Этой формулой и определяется контур линии поглощения при учете флуоресценции. [12]
Уширение за счет насыщения контура линии поглощения наблюдается в том случае, если плотность падающего излучения узкополосного лазерного пучка способна вызвать отклонение населенности возбужденных атомов от исходного значения в отсутствие лазерного пучка. При настройке лазера на крылья контура поглощения возбуждается относительно мало атомов, и поэтому поглощение пучка аналогично поглощению источника света малой интенсивности. [13]
![]() |
Контур линии поглощения атома. [14] |
Эта кривая носит название контура линии поглощения. [15]