Концентрация - излучение
Cтраница 1
Концентрация излучения в узком луче, параллельном направлению скорости, весьма важна при наблюдениях со спектрально чувствительным детектором. Излучение наблюдается лишь в том случае, когда вектор скорости частицы направлен на наблюдателя. [1]
 |
Простейшая приемная камера ( а и иммерсионная камера ( б, согласованные с конусной концентрирующей системой. в - граф иммерсионной камеры. [2] |
Для концентрации излучения св меньшем объеме детектора может быть применена иммерсионная камера. [3]
Отметим, что концентрация излучения на образце, очевидно, достигается за счет расширения его диаграммы направленности. [4]
 |
Характеристика излучения волны. 0i при х - 2 552. [5] |
Это - эффект концентрации излучения вдоль оси однопроводнои линии, появляющийся при любом способе ее возбуждения, в частности при возбуждении изнутри симметричной электрической волной. [6]
В вертикальной плоскости желательна концентрация излучения по направлениям, близким IK горизонту. Нужно, однако, заметить, что при очень большой высоте установки антенн следует избегать резкой концентрации излучения в горизонтальном направлении, так как напряженность поля вблизи земли на небольших расстояниях от антенны может оказаться меньшей, чем в более удаленных районах. [7]
 |
Максимальные значения коэффициентов отражения эшелеттов с р 600 штрихов / мм из стекла Ф-1 без покрытия ( - - - - и с покрытием Аи ( и Ni ( - . [8] |
В этом интервале происходит концентрация излучения в первом порядке при нормальном падении излучения на эшелетт. [9]
Локальность процесса лазерной сварки обеспечивается концентрацией излучения в пятно малых размеров диаметром 0 1 мм. Благодаря этому имеют место малая ширина шва, незначительные пластические деформации и, как следствие, минимальные остаточные деформации сварных соединений. [10]
В солнечных теплоэнергетических установках за счет концентрации излучения и применения селективных покрытий на приемниках можно повысить уровень температуры подвода теплоты к преобразователю энергии, что позволяет поднять энергетическую эффективность последнего и соответственно уменьшить требуемую площадь концентратора, а следовательно, и капитальные затраты на его создание. Однако при этом одновременно возрастают стоимость единицы площади концентратора и эксплуатационные расходы, связанные с необходимостью его ориентации на Солнце. Так, по данным работы [113], при повышении средней температуры подвода теплоты в цикле ПТУ от 370 до 570 К стоимость квадратного метра концентратора возрастает в четыре раза. [11]
Отсюда следует, что при высоких коэффициентах концентрации излучения в солнечных элементах выделяется большое количество тепловой энергии, и если охлаждение элементов не предусмотрено, то их рабочая температура возрастает. Значительное повышение температуры влияет на свойства неосновных носителей и собственную концентрацию носителей в элементе, а также, хотя и в меньшей степени, на процесс поглощения фотонов вследствие изменения ширины запрещенной зоны. При повышении температуры подвижность неосновных носителей в Si несколько уменьшается, а в GaAs ( при типичных уровнях легирования) меняется очень слабо, поэтому коэффициент диффузии неосновных носителей в Si почти не зависит от температуры, а в GaAs монотонно растет при повышении температуры. В результате диффузионная длина неосновных носителей увеличивается при возрастании температуры ( особенно ярко это проявляется в GaAs), так как вследствие повышения тепловой скорости носителей увеличивается их время жизни. Таким образом, возрастание тока короткого замыкания при повышении температуры является следствием увеличения диффузионной длины неосновных носителей. Что касается напряжения холостого хода, которое, как полагают, должно повышаться при увеличении тока короткого замыкания, то оно сильно зависит от собственной концентрации носителей я, изменяющейся экспоненциально при вариациях температуры. [12]
Комптоновское рассеяние на ультрарелятивистском электроне всегда сопровождается концентрацией излучения в узком телесном угле ( тс2 / е) 2, и поэтому здесь конверсия идет с преимуществом в пользу наиболее высоких частот. [13]
Как уже было сказано, система предназначается для концентрации излучения в определенном направлении. Коэффициент направленного действия или выигрыш системы G определяется как отношение максимальной интенсивности излучения Фдг к интенсивности Ф0, усредненной по сферической поверхности большого радиуса, концентричной с излучающей системой. [14]
Итак, чтобы решить вопрос о целесообразности применения волновода для концентрации излучения, необходимо прежде всего установить, какова доля излучения источника к, фактически используемая в конкретном эксперименте. [15]
Страницы: 1 2 3 4