Концентрация - излучение
Cтраница 4
В реальных солнечных элементах наличие конечного последовательного сопротивления приводит к снижению - КПД ( в силу уменьшения FF) даже при такой интенсивности излучения, когда условия высокого уровня инжекции еще не выполняются. Последовательное сопротивление оказывает отрицательное влияние на характеристики солнечных элементов и при обычной интенсивности излучения, а при использовании концентрированного света это влияние становится чрезвычайно сильным. Палфри [4] рассчитал зависимость FF от коэффициента концентрации излучения для кремниевых солнечных элементов при различных значениях последовательного сопротивления ( см. рис. 8.1) и показал, что при 100-кратной интенсивности излучения характеристики элементов будут удовлетворительными, если их последовательное сопротивление не превышает нескольких сотых долей ома. У солнечных элементов, генерирующих небольшой фототок, например элементов из GaAs, допустимым является несколько более высокое последовательное сопротивление. [47]
Результаты расчета зависимости внутреннего коэффициента собирания от коэффициента концентрации солнечного излучения показаны на рис. 8.3, а. Для достижения сравнимых значений внутреннего коэффициента собирания в солнечном элементе с контактами типа гребенка в гребенке, имеющем толщину 100 мкм, необходимо, чтобы время жизни носителей составляло 90 мкс. Следует отметить, что наблюдаемое увеличение внутреннего коэффициента собирания при повышении коэффициента концентрации излучения может быть вызвано действием электрического поля, связанного со значительным падением напряжения внутри элемента при высоких плотностях тока. [49]
Первоначально исследования ограничивались в основном изучением физической стороны явления, однако очень скоро в связи с большими перспективами практических приложений оптических генераторов исследования приобрели и техническую направленность. Способность лазеров создавать в высшей степени монохроматическое интенсивное и направленное излучение позволяет легко реализовать узкие диаграммы направленности при малых геометрических размерах антенн, создавать большие плотности ( яркости) излучения при высокой когерентности, получать колоссальные концентрации излучения в малых объемах. Указанные возможности оптических генераторов имеют существенное значение для развития современной радиоэлектроники. [50]
 |
Принципиальные схемы пирометров полного излучения. [51] |
Пирометры полного излучения являются наиболее простыми по устройству. Комплект пирометра состоит из первичного преобразователя ( телескопа) и вторичного прибора. В качестве чувствительного элемента, воспринимающего излучение, применяются чаще всего термобатареи из нескольких термоэлектрических термометров или специальных термозависимых резисторов - болометров. Для концентрации излучения на спаях термобатареи или на чувствительном элементе болометра применяют рефракторные ( с собирающей линзой) или рефлекторные ( с вогнутым зеркалом) оптические системы. [52]
Расчеты показывают, что ширина луча равна примерно 10 - 4 рад. Чтобы получить такой угловой раствор луча в диапазоне сантиметровых радиоволн, нужны антенны диаметром в десятки метров. В лазере же самой его структурой заложена принципиальная возможность концентрации излучения в узкий, почти параллельный пучок. [53]
 |
Схематическое изображение объединенной схемы классификации галактик по Хабблу и де Вокулеру ( Roberts, 1972. [54] |
На рис. 50 показаны примеры классификации нормальных галактик. Спиральные галактики классифицируются главным образом по степени выраженности и закрученности их рукавов. Наша собственная Галактика, по-видимому, относится к типу Sb или Sc. Корреляции свойств галактик привели к другим, более сложным классификационным схемам, где учитывается степень концентрации излучения к центру, хотя эта характеристика может сильно меняться в зависимости от цвета. [55]
Кроме того, при низком уровне инжекции солнечные элементы, вероятно, будут обладать более высоким начальным значением КПД. Следует заметить, что малая диффузионная длина неосновных носителей не позволяет использовать тыльный барьер в солнечных элементах на основе арсенида галлия. Однако, поскольку концентрация легирующих примесей в солнечных элементах из GaAs выше, чем в кремниевых элементах, эффекты, связанные с высоким уровнем инжекции, проявляются в GaAs только при очень сильной концентрации излучения. [56]
Часто применяют разделение громкоговорителя на 2, 3 и более частей, каждая из которых предназначена для передачи только части диапазона частот. Линейные размеры излучающих диафрагм и емкости этих полосных громкоговорителей находятся в обратном отношении к средней частоте излучаемой полосы. Такое разделение диктуется еще и тем, что отклонение диафрагмы при излучении звукового давления заданной амплитуды обратно пропорционально частоте. Для излучения достаточной мощности низких частот требуется большой зазор между электродами и большая площадь диафрагмы. Собственная частота диафрагмы для устойчивой работы ее должна быть ниже рабочего диапазона частот. Такая диафрагма на частотах, превышающих частоту ее основного резонанса, имеет тенденцию колебаться с большим числом узловых линий. Это ведет к появлению неравномерности частотной характеристики. Применение набора громкоговорителей для распределения излучения по полосам частично устраняет этот недостаток. Наконец, коэффициент концентрации излучения растет с увеличением частоты при неизменной площади диафрагмы. [57]
Страницы: 1 2 3 4