Концентрация - неосновной неравновесный носитель
Cтраница 1
Концентрация неосновных неравновесных носителей у границы перехода экспоненциально зависит от величины приложенного к переходу напряжения. [1]
Усилительные свойства двухбазового диода будут, очевидно, определяться соотношением концентраций основных равновесных и неосновных неравновесных носителей и их подвижностями. [2]
Однако этот метод сильно уступает другому, позволяющему непосредственно определять концентрацию неосновных неравновесных носителей в данной точке с помощью выпрямляющего контакта, установленного в этой точке. [3]
 |
Устройство р-я-переходов точечных ( а, сплавных ( б, диффузионных ( в диодов. [4] |
Эффект накопления зависит от величины прямого тока, так как с увеличением тока возрастает концентрация неосновных неравновесных носителей и время, необходимое для установления равновесного состояния. [5]
 |
Вольт-амперные характеристики в фотодиодном режиме. [6] |
Величины тока короткого замыкания в вентильном режиме и добавки тока в фотодиодном режиме пропорциональны концентрации неосновных неравновесных носителей, возникших при освещении. [7]
Принцип действия ДШ, интегрированного в структуре биполярного транзистора ( рис. 3.8, а), поясняют диаграммы распределения концентраций неосновных неравновесных носителей заряда в режиме насыщения для обычного транзистора ( рис. 3.8, г) и транзистора с ДШ ( рис. 3.8, д), где ЭП и КП - эмиттерный и коллекторный переходы. В обычном транзисторе в режиме насыщения при достаточно большом токе базы прямое напряжение на коллекторном р-п переходе почти равно ( чуть меньше) прямому напряжению на эмиттерном р-п переходе. [8]
Релаксация тока во внешней цепи определяется при этом, очевидно, релаксацией фототока Jj, величина которого в каждый момент времени пропорциональна концентрации неосновных неравновесных носителей у п - р-перехода. Процесс исчезновения этих носителей ( например, при выключении света) в правильно сконструированных фотодиодах, для которых длина диффузионного освещения ID W, в основном определяется не рекомбинацией, а уходом носителей через п - / 7-переход. [9]
 |
Схема включения одно-переходного транзистора для работы в усилительном режиме. [10] |
Связь между входом и выходом осуществляется по току через распределенное сопротивление базы. Усилительные свойства транзистора определяются соотношением концентраций основных равновесных и неосновных неравновесных носителей и их подвиж-ностями. [11]
Связь между входом и выходом осуществляется по току через распределенное сопротивление базы. Усилительные свойства транзистора определяются соотношением концентраций основных равновесных и неосновных неравновесных носителей и их подвижностями. [12]
Чем больше прямой ток, тем больше концентрация неосновных неравновесных носителей и тем больше будет время, необходимое для установления равновесного состояния. [13]
 |
Переходная характеристика диода при переключении его из открытого состояния в закрытое. [14] |
Чем больше прямой ток, тем больше будет концентрация неосновных неравновесных носителей и время, необходимое для установления равновесного состояния. [15]
Страницы: 1 2