Концентрация - неосновной неравновесный носитель
Cтраница 2
Если диод включен в прямом направлении, то через р-п переход осуществляется инжекция носителей. В результате инжекции в непосредственной близости к переходу создается концентрация неосновных неравновесных носителей, которая может во много раз превышать концентрацию равновесных неосновных носителей. Величина обратного тока определяется концентрацией неосновных носителей у р-п перехода. [16]
Простейшая схема включения импульсного диода приведена: на рис. 20, а. При протекании через диод прямого тока, значение-которого определяется амплитудой импульса, сопротивлением нагрузки, а также сопротивлением открытого диода, через р-п-переход осуществляется инжекция носителей. Вблизи р - - перехода создается концентрация неосновных неравновесных носителей заряда. [17]
 |
Основные параметры некоторых импульсных диодов. [18] |
Сущность этого эффекта состоит в следующем. Во время протекания прямого тока через р - и-переход осуществляется инжекция носителей. В ре-зультдае-шнкекцн в непосредственной бйнзоет к переходу создается концентрация неосновных неравновесных носителей, которая во много раз превышает концентрацию равновесных неосновных носителей. Величина обратного тока определяется концентрацией неосновных носителей в области р - п-перехода - чем больше концентрация неосновных носителей, тем больше обратный ток. Время жизни неравновесных носителей ограничено - постепенно их концентрация уменьшается как за счет рекомбинации, так и за счет ухода через р - n - переход. Поэтому через некоторое время ( тв на рис. 11 - 24, б) неравновесные неосновные носители исчезнут, обратный ток восстановится до нормального значения / обр. [19]
 |
Вид вольт-амперной. [20] |
Из сказанного выше следует, что при пропускании тока через р - п переход концентрации носителей вблизи границы раздела р и п областей становятся неравновесными. Так, протекание прямого тока приводит к резкому увеличению концентраций неосновных носителей по обе стороны от границы раздела контакта. Очевидно, что вследствие процесса рекомбинации, концентрация неравновесных носителей уменьшается по мере удаления от границы раздела. Вспоминая сказанное в § 24, можно утверждать, что эффективная ширина областей с повышенной концентрацией носителей должна равняться диффузионной длине L. Отклонение от равновесия, возникающее за счет протекания через р - п переход прямого тока, характеризуется обычно так называемым уровнем инжекции, который равен отношению концентрации неосновных неравновесных носителей к концентрации основных носители заряда. [21]
Страницы: 1 2