Концентрация - плазма
Cтраница 1
 |
Концентрация атомарного водорода в верхней части экзосферы.| Концентрация ионов в верхней части экзосферь..| Концентрация протонов в протоносфере. [1] |
Концентрация плазмы на больших расстояниях от поверхности Земли была приблизительно подсчитана при использовании результатов исследования распространения радиосвистов. Прохождение электромагнитных волн сквозь плазму протоносферы и ионосферы - очень сложный процесс, который выражается во всякого рода явлениях, таких, как фединги, вращения Фара-дея, рефракции и дисперсии. [2]
 |
Изменение формы спектральной линии вследствие эффекта Допплера. [3] |
Спектроскопическое определение концентрации плазмы представляет трудную задачу, так как для ее решения необходимы точные измерения абсолютной величины интенсивности отдельных спектральных линий. О температуре атомов и ионов плазмы мы обычно делаем заключения на основании разного рода косвенных данных. Однако для измерения этой величины могут в некоторых случаях служить также результаты спектроскопических измерений. Дело в том, что температура атомов сказывается на ширине излучаемых ими спектральных линий; это явление обусловлено так называемым эффектом Допплера, который устанавливает связь между частотой колебательного процесса и скоростью движения источника колебаний. Простейший пример этого эффекта - повышение тона свистка быстро приближающегося к нам локомотива, сменяющееся его понижением после того, как поезд начинает удаляться. [4]
При достижимой для современной методики точности определения концентраций плазмы более точное значение коэффициента не имеет практического значения. [5]
На рис. 65 схематически показано, как изменяется концентрация плазмы в результате диффузии на границе двух областей с разными значениями пе. В этом заключается еще одно принципиальное различие между процессами, происходящими в присутствии поля и без поля. [6]
Выведение заряда из га-базы и рекомбинация приводят к снижению концентрации плазмы у коллектора и, соответственно, к снижению концентрации электронов в р-базе у перехода / 2; однако у перехода j концентрация электронов возрастает. [7]
 |
Результаты микроволнового зондирования в квазистационарной зоне. [8] |
По горизонтальной оси отложен ток разряда, от которого зависит концентрация плазмы по вертикальной - сигнал зонда. Три кривые сняты в одинаковых условиях, но при разных мощностях зондирующего генератора. Сигнал o6Haov - живает максимум при определенной концентрации плазмы, когда плазменная частота равна зондирующей. [9]
 |
Линии тона в гофрированной проводнике. I - токовая поверхность, внутри. [10] |
В случае полностью ионизованной плазмы проводимость зависит только от темп-ры, возрастая пропорцией вально Т %, и не зависит от концентрации плазмы. [11]
При помещении образца полупроводника в магнитное поле и наложении на него электрического поля, параллельного магнитному, в образце самопроизвольно возникают колебания электрического потенциала и концентрации плазмы. Одновременно с возникновением колебаний начинают расти потери из плазмы заряженных частиц. Аналогичное явление наблюдается в плазме газового разряда. Таким образом, эффект, обнаруженный в твердом полупроводнике, оказался родственным явлением неустойчивости плазмы. [12]
Плотность напыляемого ионного пучка можно регулировать изменением тока эмиссии вольфрамового катода, давления инертного газа, а также напряженности магнитного поля соленоида, с помощью которого легко повысить концентрацию плазмы и увеличить скорость распыления при неизменном потенциале мишени. Скорость осаждения может изменяться в очень широких пределах: от нескольких ангстрем до нескольких тысяч ангстрем в минуту. Количество распыленного материала линейно зависит от времени, а толщина пленки при постоянном режиме разряда определяется соотношением между током мишени, напряжением на ней и временем распыления. Для получения очень тонких пленок нужно подавать на мишень небольшое напряжение ( около 200 в), при котором получаются очень малые и хорошо регулируемые скорости осаждения. Равномерность толщины пленки при ионно-плазменном распылении достигает 1 - 2 %, что значительно выше, чем при распылении в тлеющем разряде, где искажения вносятся непроводящей подложкой, расположенной между катодом и анодом. [13]
В системе ТР с индуктивной связью [43] можно получить a - Si: Н - пленки, содержащие высокую плотность дигидридных связей, в условиях высоких мощности ВЧ разряда и концентрации плазмы. На рис. 7.4.5 показаны зависимости электрофотографической чувствительности о и накопления заряда от отношения числа дигидридных и моно-гидридных связей, которое можно оценить из данных по ИК-поглощению. [15]
Страницы: 1 2 3