Концентрация - свободная валентность
Cтраница 1
Концентрация свободных валентностей на поверхности кристалла зависит также от природы и от количества адсорбированных на поверхности чужеродных атомов или молекул, которые при этом играют роль примесей. Она изменяется, как можно показать [2], в процессе адсорбции, а также в процессе реакций, протекающих между атомами и молекулами, адсорбированными на поверхности. [1]
Концентрация свободных валентностей может меняться в результате внешних воздействий на кристалл, а также в са-лмом процессе протекания реакции. В кристалле, как и в обычном радикале, свободные валентности способны реагировать и замыкаться, встречаясь друг с другом. [2]
Концентрация свободных валентностей на поверхности кристалла зависит также от природы и от количества адсорбированных на поверхности чужеродных атомов или молекул, которые при этом играют роль поверхностных примесей; она изменяется, как можно показать, в процессе адсорбции, а также в процессе реакций, протекающих между атомами и молекулами, адсорбированными на поверхности. [3]
Это относительное число зависит не только от концентрации свободных валентностей на поверхности, но, при заданной их концентрации, также от природы катализатора и от природы адсорбирующихся веществ. Можно показать, что число реакцион. [4]
 |
Кинетика накопления и превращения радикалов в системе С6Н6 СН3ОН Лу ( опыты с фильтрованным светом. [5] |
Однако несмотря на существование реакции разветвления, не происходит непрерывного роста концентрации свободных валентностей; поэтому приходится предположить, что в этих условиях протекает также и реакция обрыва. [6]
Влияние освещения на каталитическую активность полупроводника сводится, согласно выводам Волькенштейна и Когана [220], к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Таким же точно можно представить себе и влияние рекуперированной энергии. Однако ограничиваются ли результаты этого влияния только изменением концентрации свободных валентностей. Нельзя ли предположить, что здесь имеется еще новый эффект, связанный с изменением активности самих свободных валентностей, подобный эффекту сопряжения холостого электрона в свободных радикалах. Упомянутая работа Нагаева [219], раскрывая роль экситонов в механике хемосорбции атома на ионных кристаллах, положительно отвечает на этот вопрос. [7]
Влияние освещения на каталитическую активность полупроводника сводится, согласно выводам Ф. Ф. Волькенштейна и Ш. М. Когана [77], к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Таким же точно можно представить себе и влияние рекуперированной энергии. Однако ограничиваются ли результаты этого влияния только изменением концентрации свободных валентностей. Нельзя ли предположить, что здесь имеет место еще новый эффект, связанный с изменением активности самих свободных валентностей, подобный эффекту сопряжения холостого электрона в свободных радикалах. Упомянутая работа Э. Л. Нагаева [76], раскрывая роль экситонов в механизме хемосорбции атома на ионных кристаллах, положительно отвечает на этот вопрос. [8]
Влияние освещения на каталитическую активность полупроводника сводится, согласно выводам Волькенштейна и Когана [220], к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Таким же точно можно представить себе и влияние рекуперированной энергии. Однако ограничиваются ли результаты этого влияния только изменением концентрации свободных валентностей. Нельзя ли предположить, что здесь имеется еще новый эффект, связанный с изменением активности самих свободных валентностей, подобный эффекту сопряжения холостого электрона в свободных радикалах. Упомянутая работа Нагаева [219], раскрывая роль экситонов в механике хемосорбции атома на ионных кристаллах, положительно отвечает на этот вопрос. [9]
Заметим, в заключение, что активность катализатора отнюдь не сводится исключительно к числу свободных валентностей, содержащихся на его поверхности, а определяется относительным числом гетерогенных радикалов типа AL или CDL по сравнению с числом нереакционноспо-собных образований AL или CDL. Это относительное число зависит не только от концентрации свободных валентностей на поверхности, но, при заданной их концентрации, также от природы катализатора и от природы адсорбирующихся веществ. Можно показать, что число реакционно-способных гетерогенных радикалов AL, отнесенное к числу нереакцион-носпособных образований AL, при монотонно возрастающем числе свободных валентностей ( п или п2) изменяется не монотонно, а проходит через максимум. Таким образом, существует некая оптимальная концентрация свободных валентностей, при которой активность данного катализатора в отношении данной реакции максимальна. С другой стороны, катализатор, обладающий сравнительно большим числом свободных валентностей, может оказаться менее активным, чем катализатор иной химической природы, несущий, однако, на своей поверхности меньшее число свободных валентностей. [10]
Между объемом газа и поверхностью существует непрерывный обмен свободными валентностями. Факторы, изменяющие концентрацию электронного или дырочного газа в объеме кристалла, изменяют концентрацию свободных валентностей на его поверхности. [11]
Влияние освещения на каталитическую активность полупроводника сводится, согласно выводам Волькенштейна и Когана [220], к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Таким же точно можно представить себе и влияние рекуперированной энергии. Однако ограничиваются ли результаты этого влияния только изменением концентрации свободных валентностей. Нельзя ли предположить, что здесь имеется еще новый эффект, связанный с изменением активности самих свободных валентностей, подобный эффекту сопряжения холостого электрона в свободных радикалах. Упомянутая работа Нагаева [219], раскрывая роль экситонов в механике хемосорбции атома на ионных кристаллах, положительно отвечает на этот вопрос. [12]
Влияние освещения на каталитическую активность полупроводника сводится, согласно выводам Ф. Ф. Волькенштейна и Ш. М. Когана [77], к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Таким же точно можно представить себе и влияние рекуперированной энергии. Однако ограничиваются ли результаты этого влияния только изменением концентрации свободных валентностей. Нельзя ли предположить, что здесь имеет место еще новый эффект, связанный с изменением активности самих свободных валентностей, подобный эффекту сопряжения холостого электрона в свободных радикалах. Упомянутая работа Э. Л. Нагаева [76], раскрывая роль экситонов в механизме хемосорбции атома на ионных кристаллах, положительно отвечает на этот вопрос. [13]
Влияние освещения на каталитическую активность полупроводника сводится, согласно выводам Волькенштейна и Когана [220], к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Таким же точно можно представить себе и влияние рекуперированной энергии. Однако ограничиваются ли результаты этого влияния только изменением концентрации свободных валентностей. Нельзя ли предположить, что здесь имеется еще новый эффект, связанный с изменением активности самих свободных валентностей, подобный эффекту сопряжения холостого электрона в свободных радикалах. Упомянутая работа Нагаева [219], раскрывая роль экситонов в механике хемосорбции атома на ионных кристаллах, положительно отвечает на этот вопрос. [14]
Адсорбционная способность поверхности и в то же время реакционная способность адсорбированных частиц зависит, как показывается, от относительного содержания на поверхности прочной и слабой форм хемосорбции, что в свою очередь определяется ( при прочих равных условиях) концентрацией электронного и дырочного газа на поверхности кристалла. Показывается, что изменение этой концентрации, происходящее под влиянием освещения, приводит к изменению относительного содержания прочной формы хемосорбции и тем самым к изменению адсорбционной способности и каталитической активности полупроводника. Иначе говоря, действие света сводится в конечном счете к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. [15]
Страницы: 1 2