Cтраница 2
Таким образом, объем катализатора может играть роль резервуара, поглощающего свободные валентности поверхности и, наоборот, поставляющего их на поверхность. При установившемся электронном равновесии валентности, уводимые с поверхности, компенсируются валентностями, поступающими на поверхность. При этом на поверхности устанавливается стационарная концентрация свободных валентностей, однозначно связанная с концентрацией электронного и дырочного газа внутри кристалла. Факторы, изменяющие концентрацию электронного и дырочного газа в объеме кристалла, изменяют концентрацию свободных валентностей на его поверхности и тем самым каталитические свойства поверхности. [16]
В результате удалось показать, что адсорбционная способность поверхности определяется ( при прочих равных условиях) концентрацией электронного и дырочного газа на поверхности кристалла. От этой концентрации зависит в то же время относительное содержание на поверхности слабой и прочной форм хемосорбции и тем самым реакционная способность хемосорбированных частиц. Показано, каким образом изменение этой концентрации, происходящее под влиянием освещения, приводит к изменению содержания прочной формы хемосорбции при неизменном содержании слабой формы, которое однозначно фиксируется заданным давлением. Таким путем освещение приводит к изменению относительного содержания на поверхности различных форм хемосорбции и тем самым к изменению адсорбционной способности и вместе с тем каталитической активности поверхности. В конечном счете действие света сводится, как показано, к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Вычислено относительное изменение адсорбционной способности, как функции относительного изменения концентраций электронного и дырочного газов на поверхности кристалла. Установлены критерии фотоадсорбции и фотодесорбции. Обсуждены различные возможные механизмы поглощения света в кристалле. [17]