Концентрация - примесь
Cтраница 2
Концентрация примесей возрастает от нижней припой к верхней. [17]
 |
Характеристики датчика эдс Холла из n - InAs для разных значений параметра X. [18] |
Концентрация примеси ( или, иначе говоря, сопротивление образца) должна быть такой, чтобы доминировало рассеяние электронов на колебаниях решетки. [19]
Концентрации примесей в питательной воде котла условно приняты равными единицы. [20]
Концентрация примеси или активатора сильно зависит от того, как протекает затвердевание в процессе выращивания кристалла из жидкой фазы. При нормальной кристаллизации посредством консервативного процесса в начальный период роста весь материал представляет собой жидкую фазу и твердая фаза кристаллизуется из жидкости на определенной поверхности в пересыщенном растворе. В итоге граница раздела между твердой и жидкой фазами перемещается через расплав контролируемым образом. [21]
Концентрация примесей оказывает существенное влияние на - фотоэлектронную эмиссию, а также на частоту vKp, которая сдвигается в сторону меньших v с увеличением концентрации примесей. [22]
Концентрация примесей в жидкости, находящейся в отмывочной колонне, может быть существенно больше, чем при использовании других способов очистки. Однако эта жидкость имеет более высокую температуру, чем жидкий кислород, испаряемый в конденсаторах-испарителях, в связи с чем растворимость примесей в ней существенно выше, чем в жидком кислороде. Учитывая также, что, в отличие от жидкого кислорода в конденсаторах, жидкость в отмывочной колонне практически не кипит, повышение концентрации взрывоопасных примесей в рассматриваемом случае не представляет опасности. [23]
 |
Расщепление локального уровня примеси в примесную зону. [24] |
Концентрация примесей ( 7VH или Na) в полупроводниковых материалах обычно невысока: 1C) 4 - 10-в %, иначе говоря, на 10е - 108 атомов вещества приходится лишь один атом примеси. [25]
Концентрация примеси возрастает с увеличением поверхности кристалла при постоянной их массе, достигая - 0 1 величины общего коэффициента сокристаллизации. [26]
 |
Распределение примесей при нормальной направленной кристаллизации i ( no Пфанну. С К. Со. [27] |
Концентрация примесей в любой точке вдоль твердого образца или слитка, который был сначала расплавлен, а затем постепенно охлаждался и затвердевал по длине ( рис. 83), может быть выражена с помощью соответствующих уравнений, если известен коэффициент распределения примесей. [28]
Концентрация примеси, необходимая для получения вырожденных полупроводников, отличается от материала к материалу. Так, для германия и кремния концентрация легирующей примеси больше чем 1019 см 3 приводит к вырождению. Из вышесказанного следует, что существует определенная верхняя граница для п ( 0), согласующаяся с требованиями высокой эффективности эмиттера. [29]
Концентрация примесей в коллекторе вблизи перехода коллектор-база значительно меньше, чем концентрация примесей в базе по другую сторону этого перехода. В зтом случае большая часть неосновных носителей при работе транзистора в режиме насыщения накапливается в области коллектора. Поэтому время выхода транзистора из режима насыщения в основном зависит от свойств его коллектора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5