Концентрация - примесь
Cтраница 3
Концентрация примесей в циркулирующем газе равна первоначально принятой. Проверяем материальный баланс по примесям. [31]
Концентрация примесей за счет испарения и высушивания отмечается в области насыщенного пара, где температура поверхности металла превышает температуру пара. Здесь влага испаряется, а примеси остаются в виде пленки концентрированного раствора или в виде сухого осадка. Этот эффект возникает при любых концентрациях примесей в паре. [32]
Концентрация примесей в паре и конденсате весьма мала. Так как чувствительность лабораторных методов анализа в ряде случаев оказывается недостаточной, применяются различные способы обогащения пробы. Одним из них является применение с о л е-накопителей, с помощью которых можно получить обогащенную пробу насыщенного или перегретого пара, а также конденсата турбин и питательной воды. Работа соленакопителей основана на многократном упаривании проб пара и конденсата. Для химического анализа применимы обычные методы анализа, так как концентрация растворенных веществ в обогащенной пробе значительно больше, чем в исходной пробе. [33]
Концентрация примесей в дождевом стоке во многом зависит от интенсивности выпадения осадков, продолжительности периода сухой погоды и предшествующего дождя. Это объясняется тем, что загрязнение дождевого стока происходит в результате сорбции веществ, находящихся в атмосферном воздухе, растворения и смыва загрязнений с водосборного бассейна и сети дождевой канализации. С увеличением интенсивности осадков увеличивается расход дождевого стока и, следовательно, увеличивается его взвесенесущая способность. Продолжительность без дождного периода обусловливает накопление примесей на территории водосборного бассейна. [34]
 |
Распределение примесей в р-п - р структуре, полученной методом двусторонней диффузии. [35] |
Концентрация примесей в областях полупроводника, легированных с помощью диффузии, практически во всех случаях меняется с глубиной диффузии довольно быстро. [36]
Концентрация примесей [ П ] в процессе опыта мало менялась, так как измерения проводились в течение 2 - 3 мин. [37]
Концентрация примесей в полупроводнике при этом уменьшается с увеличением расстояния от поверхности полупроводника. [38]
Концентрация примеси в растворе оказывает существенное влияние на коэффициент распределения. [39]
Концентрации примесей, попадающих в цинковый электролит, должны быть ограничены в соответствии со степенью отрицательного влияния каждой из них. [40]
Концентрация примесей оказывает существенное влияние на - фотоэлектронную эмиссию, а также на частоту vKp, которая сдвигается в сторону меньших v с увеличением концентрации примесей. [41]
 |
Расщепление локального уровня примеси в примесную зону. [42] |
Концентрация примесей ( 7VH или Na) в полупроводниковых материалах обычно невысока: 1C) 4 - 10-в %, иначе говоря, на 10е - 108 атомов вещества приходится лишь один атом примеси. [43]
Концентрация примесей С принята в мольных процентах. [44]
Концентрации примесей определяют либо визуальным, либо фотометрическим методами. При использовании визуального метода подбирают одинаковые интенсивности изотопа основы и примеси, отсчитывают число отделяющих их экспозиций, принимают во внимание распространенность изотопов основы и примеси и при помощи известных изотопных факторов вычисляют концентрации остальных изотопов определяемой примеси. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5