Концентрация - введенная примесь
Cтраница 1
Концентрация введенных примесей ( доноров N ( х) на рис. 2.4) максимальна у поверхности и спадает по направлению в глубь пластины. Расстояние х0, на котором она равна концентрации исходной примеси ( акцепторов Na на рис. 2.4), называют толщиной диффузионного слоя. Если вводится примесь противоположного по отношению к подложке типа, то ха соответствует металлургической границе образующегося р-п перехода. [1]
 |
Схематическое распределение диффундирующей примеси для различного времени диффузии.| Схематическое распределение концентрации примесей в диффузионном р-п перехэде. [2] |
На глубине, где концентрация введенной примеси равна концентрации примеси в исходном материале, образуется р - п переход. [3]
 |
Вольтамперные характеристики диффузионных электролюминесцентных р-п переходов в кристаллах карбида кремния разных политипов. [4] |
В зависимости от способа получения электронно-дырочного перехода, концентрации введенных примесей и других факторов электрические и оптические характеристики излучающих диодов значительно отличаются друг от друга. Величина пропускаемого через диод тока и яркость свечения ограничиваются нагревом диода и, следовательно, зависят от условий теплоотвода. Абсолютная яркость при нескольких вольтах достигает значений до 100 нт. Для диодов с зеленым свечением при плотности тока 75 мА / см2 получена яркость 120 нт. [5]
 |
Электропроводность полупроводника - типа.| Электропроводность полупроводника р-типа. [6] |
В примесных полупроводниках концентрация основных носителей заряда определяется концентрацией введенной примеси. Процесс введения примеси в полупроводник называют легированием, а сами примеси - легирующими. [7]
 |
Условное изображение р-п-перехода. [8] |
Толщина перехода достаточна мала и составляет десятки и сотни микрометров в зависимости от концентрации введенных примесей. [9]
Изменения р и п в зависимости от ps2 показаны на фиг. Когда концентрация введенных примесей [ Bi ] мала, область, где rc [ Bi ], отсутствует. Видно также, что только при наличии этой области введение висмута приводит к росту числа доноров. Когда [ Bi ] [ Fch добавка висмута вызывает только увеличение числа катионных вакансий. Блем [137] исследовал эти уравнения для самых разнообразных условий. [10]
 |
Распределение концентраций при диффузии. [11] |
Выбрав соответствующий лримесный элемент, с помощью диффузии можно изменить тип проводимости исходного материала. На глубине, где концентрация введенной примеси становится равной концентрации исходного материала, диффузия прекращается. [12]
 |
Последовательные стадии изготовления. [13] |
Диффузионные переходы образуются в результате диффузии атомов примесного вещества через поверхность пластинки исходного полупроводника ( или из одной части этой пластинки в другую) при повышенной температуре. В отличие от сплавных, диффузионные переходы характеризуются плавным изменением концентрации введенной примеси. [14]
Кремний можно легировать примесями с глубокими уровнями в процессе выращивания монокристаллов, но обычно используется более простая диффузионная технология. С), и поэтому уже за время порядка нескольких часов достигается равномерное насыщение кристаллов. Изменением температуры диффузии можно легко изменять концентрацию введенной примеси, так как предельная растворимость примеси зависит от температуры. [15]
Страницы: 1 2