Концентрация - теллур
Cтраница 2
Так, при попытках получить твердые растворы InSb - In2Te3 сплавлением компонентов с последующим отжигом ниже точки затвердевания было установлено, что характер влияния добавки теллура на полупроводниковые свойства образца InSb зависит от концентрации теллура. [16]
 |
Распределение концентрации кадмия по виде комплексов толщине эпитаксиалъно-го слоя твердого раствора исходного состава в различных расплавах. [17] |
На рис. 2 одновременно с распределением кадмия по толщине эпитак-сиального слоя показано и распределение теллура. Концентрация теллура растет по толщине слоя быстрее, чем кадмия. [18]
При действии гипофосфита на кислый раствор, содержащий хлориды меди ( II) и золота ( III), происходит выделение металлического золота. Количество выделяющегося в единицу времени золота пропорционально концентрации теллура в растворе. [19]
При плотности тока 35 - 40 А / дм2 на отдельных частях катода происходит образование рыхлых осадков. При плотностях тока 1 - ЗА / дм2 и концентрации теллура 0 5 - 1 моль / л, при температуре от 0 до 25 С поверхность катода покрывается металлическим слоем. Он хорошо сцеплен с подложкой, трудно снимается с катода. При плотности тока выше 2 А / дм2 и температуре 25 - 30 С на катоде осаждается смесь металлического и черного порошкообразного теллура. Если в качестве катода используется платина, то теллур осаждается в виде темно-серого слоистого осадка, который при высоких плотностях тока отслаивается и осыпается с поверхности катода. [20]
Подробно исследована экстракция теллура кетонами. Коэффициенты распределения в последнем случае резко уменьшаются с увеличением концентрации теллура в водной фазе, что связывают с диссоциацией комплексной хлортеллуровой кислоты в органической фазе. Опытные данные по экстракции кетонами в общем согласуются между собой, но количественно их сопоставить трудно, ибо коэффициенты распределения получены для разных концентраций теллура ( 1У) в водной фазе. [21]
Как видно из рис. 1 а, по мере увеличения концентрации теллура и соответственного возрастания концентрации электронов от 9 - 1016 до 1 6 - 1019 смгг край основной полосы поглощения сдвигается по длинам волн от 12 до 2 5 мкм. [23]
В работах [4, 5, 7] отмечено, что при равной молярной концентрации в одних и тех же условиях высоты пиков селена ( IV) [4] и теллура ( IV) [5, 7] превосходят высоты пиков других обратимо восстанавливающихся ионов с участием двух электронов. S-образный вид, причем на отдельных участках сохраняется линейная зависимость между высотой пика и концентрацией теллура. [24]
В процессах, связанных с загрузкой теллура в расплаачен-ное железо, свинец или медь или при напылении на поверхности под вакуумом необходима вытягивающая вентиляция с минимальной скоростью протяжки 30 м / мин для ограничения концентрации выделяющихся паров. Теллур для изготовления сплавов должен использоваться преимущественно в плашках. Систематическое исследование состава воздуха должно производиться с целью удержания концентрации теллура ниже рекомендованного уровня. Допустимая концентрация теллуроводорода не определена специально, однако представляется достойным рекомендации принять для него такой же допустимый уровень, как и для селеноводо-рода. [25]
Другая интерпретация структуры жидкого теллура была получена из результатов изучения дифракции нейтронов; эта интерпретация обсуждается в § 5 данной главы. Кристаллический селен также имеет упорядоченную цепную структуру, и поведение г при плавлении селена оказывается качественно таким же, как в случае теллура. В сплавах Те-Se вязкость намного больше, и при увеличении концентрации теллура в этих сплавах вязкость ц уменьшается. Различного рода аргументы, которые обсуждаются в гл. [26]
Если происходит диссоциация экстрагируемых, соединений в органической фазе ( например, в кетонах), то наблюдается уменьшение коэффициентов распределения микроколичеств радиоактивных изотопов в присутствии больших количеств других элементов. Эта закономерность вызвана подавлением диссоциации одной соли или кислоты большим количеством другого электролита, перешедшего в органическую фазу. Например, при экстракции 1141п из растворов НС1 кетонами происходит резкое уменьшение его коэффициентов распределения с увеличением концентрации теллура ( IV) или олова ( IV) в водной фазе. [27]
Величина Еа Ev определяется несколькими факторами: расстоянием между акцепторными состояниями, плотностью подвижного экранирующего заряда и высокочастотной диэлектрической проницаемостью К. Для первых двух факторов ситуация является сходной, но в отношении третьего фактора имеется значительное различие. В случае системы Se Tei-x уменьшение х приводит не только к увеличению Nd, но также и к увеличению концентрации теллура. Атомы Те имеют сравнительно большие размеры и являются поляризуемыми, так что К увеличивается. В настоящем случае уменьшение х сопровождается уменьшением К из-за больших поляризующихся атомов теллура. [28]
Как следует из [99], добавка селена до 0 303 мас. Однако авторы отмечают, что в момент проведения опыта и селен, и, особенно, теллур сильно улетучивались, так что приводимая концентрация теллура ( 0 254 %) заведомо завышена. [29]
Оказалось, что в кристаллах непосредственно после выращивания степень компенсации NA / Na - составляет приблизительно 0 1 - 0 2, причем она наименьшая для кристаллов, выращенных из расплавов на разрезе GaAs-Те. После термообработки при 1100 и 900 С отношение NA / Na было соответственно равно 0 3 и 0 4 для всех кристаллов и практически не зависело от концентрации теллура в образце. Это косвенно указывает на генерацию акцепторных центров в процессе термообработки. [30]
Страницы: 1 2 3