Концентрация - теллур
Cтраница 3
С увеличением содержания теллура зеркально гладкая поверхность слоя сменяется гребенчатым рельефом с выраженной огранкой отдельных гробнеп. Одновременно уменьшается скорость роста. Применив метод непрерывного взвешивания, нам удалось в ходе проведения одного процесса установить зависимость скорости роста опитаксиального арсенида галлия от парциального давления теллура. Как видно из рис. 2, при концентрации Те выше 10 - 8атм рост слоя практически прекращается, а максимальный уровень легирования поэтому в соответствии с рис. 1 не превышает 1 - Ю19 см-3. Торможение роста теллуром вполне обратимо, и при снижении концентрации теллура скорость роста вновь возрастает до соответствующей величины. Этим полученный результат отличается от наблюдавшегося в работе [1] необратимого торможения роста слоя кремния добавками арсина. [31]
В охлажденный стаканчик вливают 7 - 10 мл полярографического фона. Стаканчик слегка подогревают до полного растворения осадка. После охлаждения раствор помещают в электролизер, продувают током азота ( очищенного от кислорода) и полярографируют на квадратно-волновом полярографе или вектор-полярографе в пределах от - 1 1 до - 0 56 а с анодной разверткой напряжения. Пик теллура наблюдается при потенциале около - 0 86 в. Высота пика устанавливается графически. Концентрацию теллура определяют по методу добавок. Добавку вводят в азотнокислый раствор параллельной навески металла. [32]
В охлажденный стаканчик вливают 7 - 10 мл полярографического фона. Стаканчик слегка подогревают до полного растворения осадка. После охлаждения раствор помещают в электролизер, продувают током азота ( очищенного от кислорода) и полярографируют на квадратно-волновом полярографе или вектор-полярографе в пределах от - 1 1 до - 0 56 в с анодной разверткой напряжения. Пик теллура наблюдается при потенциале около - 0 86 в. Высота пика устанавливается графически. Концентрацию теллура определяют по методу добавок. Добавку вводят в азотнокислый раствор параллельной навески металла. [33]
 |
Условные изотермы со-лидуса в области первичной кристаллизации GaAs.| Зависимость коэффициента-распределения Те от его концентрации в кристалле GaAs. [34] |
Таким образом, состояние примеси теллура в монокристалле GaAs зависит от состава расплава, из которого получен монокристалл. Это, конечно, не означает, что примесь в расплаве ассоциирована в молекулы Ga2Te3 или GaTe и растворяется в кристалле GaAs в виде соединений. При температуре плавления GaAs все молекулы в расплаве, по-видимому, диссоциированы. Однако состав жидкой фазы определяет состав кристалла. Каждая точка на изотерме ликвидуса связана конодой с соответствующей фигуративной точкой на изотерме солидуса. Состав жидкой фазы выражается в концентрациях галлия, мышьяка и теллура. Состав кристалла также следует выразить через концентрации тех же компонентов, причем вдоль изотермы солидуса концентрации компонентов изменяются. Для арсенида галлия - соединения с жесткими тетраэд-рическими связями - это означает изменение концентрации теллура и концентрации точечных дефектов структуры в кристалле. [35]
Страницы: 1 2 3