Концентрация - электрон
Cтраница 3
 |
Образование электронно-дырочного перехода на границе полупроводников с разными типами проводимости. [31] |
Концентрация электронов в полупроводнике типа п выше, чем в полупроводнике типа р, и поэтому электроны диффундируют в область полупроводника типа р, заряжая пограничный слой этой области отрицательно. Аналогичное явление происходит и с дырками, которые, диффундируя в область с проводимостью типа п, образуют в пограничных слоях пластинки дополнительные заряды с той же самой полярностью. Таким образом, с обеих сторон границы раздела слоев германия в области электронно-дырочного перехода образуются противоположные по знаку пространственные заряды. [32]
Концентрация электронов или дырок близка к числу доступных состояний, так что вместо статистики Больцмана необходимо использовать статистику Ферми ( см. работы [84] и разд. [33]
Концентрация электронов, так же как и для продуктов сгорания природного газа, определяется в основном наличием гидроокиси КОН. Уровень концентрации электронов в продуктах сгорания углей оказывается приблизительно на 20 % выше при температурах сгорания из-за меньшего содержания КОН, а частота столкновений электронов с нейтральными частицами на 20 - 30 % ниже вследствие меньшего содержания паров воды. Эти два обстоятельства приводят к увеличению значений а при одинаковых температурах и вводимых добавках примерно в 1 4 - 1 5 раза по сравнению с продуктами сгорания системы природный газ - воздух. Для системы природный газ - воздух адиабатические оптимальные добавки составляют приблизительно 2 % К2С03 ( крист. [34]
 |
Энергетическая диаграмма уровней полной потенциальной энергии электронов в чистой воде. [35] |
Концентрация электронов на уровне, соответствующем ионам ОН -, равна концентрации этих ионов, а концентрация вакантных мест в данном случае совпадает с концентрацией нейтральных радикалов ОН. [36]
Концентрации электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне связаны с положением уровня Ферми. [37]
Концентрация электронов в металле очень велика ( п - Ш2 м - 3) поэтому внешнее напряжение не может изменить положение уровня Ферми в нем, и ток из металла в полупроводник не зависит от внешнего напряжения и определяется только работой выхода металла. [38]
Концентрации электронов, их энергетическое распределение, а также напряженность поля в плазме чаще всего измеряют с помощью электрических зондов. Для измерений концентрации электронов используют также метод сверхвысокочастотного резонатора. Сведения о температуре газа получают термопарным или другим контактным методом, а также - спектральными методами. Химический состав плазмы изучают с помощью спектральных, масс-спектрометрических методов, метода ЭПР, хроматографии, химического титрования. [39]
 |
Схема образования электрического поля у границы раздела электронного и дырочного полупроводников. [40] |
Концентрация электронов и концентрация дырок по ту и по другую сторону от границы раздела значительно различаются. Электроны стремятся проникнуть в дырочную область, где концентрация электронов значительно ниже. Дырки перемещаются из дырочной области в электронную. Это перемещение зарядов также вызвано тепловым движением. Встречное движение противоположных по знаку зарядов представляет собой диффузионный ток. [41]
 |
Кривые ликвидус растворов серебра. [42] |
Концентрация электронов существенно сказывается на термодинамических свойствах сплавов. Так, кривые ликвидуса и солидуса для растворов различных элементов в одном растворителе оказываются весьма близкими, если по оси абсцисс откладывать не обычную, а электронную концентрацию. [43]
Концентрация электронов в любом выбранном интервале разрешенных энергий выражается произведением плотности этих состояний g ( e) на вероятность fa ( e) их заполнения ( см. гл. [44]
Концентрация электронов определяет число возбуждающих соударений, от нее зависит вероятность процессов ступенчатой ионизации и ступенчатого возбуждения. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5