Cтраница 4
Концентрация электронов может быть определена также и интерферометрическими методами [8889], так как показатель преломления плазмы зависит от степени ионизации. [46]
Концентрация электронов в зоне проводимости - области выше чем в р-области, так как минимальная их энергия здесь ниже ( на величину арк), чем в зоне проводимости р-области. Аналогично, концентрация дырок в валентной зоне р-области выше, чем в валентной зоне л-области. [47]
Концентрация электронов лежала в диапазоне 109 - 1012 см-3. [48]
![]() |
Размер кластера, соответствующий переходу молекул а-капля, как функция температуры. [49] |
Концентрация электронов, определяемая ( 95), наиболее чувствительна к величине /, которая определяется в рамках предлагаемой модели. [50]
Концентрация электронов около р - - пере-хода возрастает в соответствии с принципом электрической нейтральности, согласно которому в любой части базовой области сумма всех зарядов должна быть равна нулю. Очевидно, что число накопленных дырок в базе тем больше, чем больше ток через диод и чем больше время жизни дырок. Кроме того, число накопленных дырок зависит от геометрии базы. [51]
Концентрация электронов около р-п-перехода возрастает в соответствии с принципом электрической нейтральности, согласно которому в любой части базовой области сумма всех зарядов должна быть равна нулю. Очевидно, что число накопленных дырок в базе тем боль-ше, чем больше ток через диод и чем больше время жизни дырок. Кроме того, число накопленных дырок зависит от геометрии базы. При переключении диода с прямого напряжения на обратное в начальный момент наблюдается большой обратный ток, ограниченный в основном последовательным сопротивлением базы диода. [53]
Концентрация электронов в базе у эмиттера при 0) равна лрэ. [54]
Концентрация электронов у границы и здесь определяется выражением (6.2), а ход ф ( х) - уравнением (6.4), но так как ф ( х) отрицательно ( рис. 11, в), то концентрация электронов у границы может намного превышать ге0; соответственно и толщина антизапорного слоя будет значительно меньше, чем запорного. [55]
С-равновесная концентрация электронов в оОра:: цс: п-распространение области с недостатком или избытком олектропов от отрицательного контакта внутрь под действием большого тянущего поля. [56]
Концентрации электронов Ne составили ( 2ч - 5) - 1019 см-3, причем через 1 мкс эти величины уменьшались примерно на один порядок. [57]
Если концентрация электронов сравнима с концентрацией акцепторов, зависимость п ( у) имеет более плавный характер. [58]
Поскольку концентрация электронов, захваченных соак-тиватором люминесценции, в данном случае пропорциональна их плотности в зоне проводимости, то излучательная рекомбинация должна быть бимолекулярной. Данный вывод нуждается в экспериментальной проверке. [59]
![]() |
Концентрационная зависимость термо - ЭДС в сильно легированном германии при 300 К. [60] |