Концентрация - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Русские называют доpогой то место, где собиpаются пpоехать. Законы Мерфи (еще...)

Концентрация - электрон

Cтраница 4


Концентрация электронов может быть определена также и интерферометрическими методами [8889], так как показатель преломления плазмы зависит от степени ионизации.  [46]

Концентрация электронов в зоне проводимости - области выше чем в р-области, так как минимальная их энергия здесь ниже ( на величину арк), чем в зоне проводимости р-области. Аналогично, концентрация дырок в валентной зоне р-области выше, чем в валентной зоне л-области.  [47]

Концентрация электронов лежала в диапазоне 109 - 1012 см-3.  [48]

49 Размер кластера, соответствующий переходу молекул а-капля, как функция температуры. [49]

Концентрация электронов, определяемая ( 95), наиболее чувствительна к величине /, которая определяется в рамках предлагаемой модели.  [50]

Концентрация электронов около р - - пере-хода возрастает в соответствии с принципом электрической нейтральности, согласно которому в любой части базовой области сумма всех зарядов должна быть равна нулю. Очевидно, что число накопленных дырок в базе тем больше, чем больше ток через диод и чем больше время жизни дырок. Кроме того, число накопленных дырок зависит от геометрии базы.  [51]

52 Зависимости or времени тока через диод ( а, напряжения на базе ( б, напряжения на р - - переходе ( в и напряжения на диоде ( г при работе диода на больших импульсах тока в схеме с генератором тока, а также распределение концентрации неосновных носителей в базе диода в различные моменты времени при включении диода ( д и при выключении диода ( е. [52]

Концентрация электронов около р-п-перехода возрастает в соответствии с принципом электрической нейтральности, согласно которому в любой части базовой области сумма всех зарядов должна быть равна нулю. Очевидно, что число накопленных дырок в базе тем боль-ше, чем больше ток через диод и чем больше время жизни дырок. Кроме того, число накопленных дырок зависит от геометрии базы. При переключении диода с прямого напряжения на обратное в начальный момент наблюдается большой обратный ток, ограниченный в основном последовательным сопротивлением базы диода.  [53]

Концентрация электронов в базе у эмиттера при 0) равна лрэ.  [54]

Концентрация электронов у границы и здесь определяется выражением (6.2), а ход ф ( х) - уравнением (6.4), но так как ф ( х) отрицательно ( рис. 11, в), то концентрация электронов у границы может намного превышать ге0; соответственно и толщина антизапорного слоя будет значительно меньше, чем запорного.  [55]

С-равновесная концентрация электронов в оОра:: цс: п-распространение области с недостатком или избытком олектропов от отрицательного контакта внутрь под действием большого тянущего поля.  [56]

Концентрации электронов Ne составили ( 2ч - 5) - 1019 см-3, причем через 1 мкс эти величины уменьшались примерно на один порядок.  [57]

Если концентрация электронов сравнима с концентрацией акцепторов, зависимость п ( у) имеет более плавный характер.  [58]

Поскольку концентрация электронов, захваченных соак-тиватором люминесценции, в данном случае пропорциональна их плотности в зоне проводимости, то излучательная рекомбинация должна быть бимолекулярной. Данный вывод нуждается в экспериментальной проверке.  [59]

60 Концентрационная зависимость термо - ЭДС в сильно легированном германии при 300 К. [60]



Страницы:      1    2    3    4    5