Концентрация - диффундирующий элемент
Cтраница 3
В результате образуется диффузионный слой, на поверхности которого концентрация диффундирующего элемента наибольшая; по мере удаления от поверхности концентрация падает ( рис. 256), глубина проникновения ( у на рис. 256) будет представлять собой толщину слоя. Так обстоит дело, если диффундирующий элемент образует с металлом систему непрерывных твердых растворов. Если, однако, насыщающий элемент В образует с металлом А систему сплавов с ограниченной растворимостью и с химическими соединениями ( рис. 257 а), то строение слоя будет определяться изотермическим разрезом диаграммы состояния этой системы при температуредиффузионного нясыщения. [31]
Следует также иметь в виду, что с увеличением концентрации диффундирующего элемента в растворе возрастают искажения кристаллической решетки и упругая энергия. Это вносит свой вклад в изменение характеристик диффузионной подвижности. [32]
 |
Зависимость скорости хив мико-термической обработки от граничных условий. [33] |
Параболическая зависимость многократно экспериментально подтверждена для тех случаев, когда концентрация диффундирующего элемента на поверхности С0 в течение большей части времени насыщения оставалась величиной постоянной; когда Q на поверхности не постоянна - параболическая зависимость нарушается. [34]
Скорость диффузии, как известно, зависит от коэффициента диффузии и концентрации диффундирующих элементов на границе раздела. [35]
Скорость диффузии на границе раздела жидкой и твердой фаз зависит от разности концентрации диффундирующего элемента в них, но определяется не только этим фактором. [36]
 |
Зависимость толщины диффузионного слоя от продолжительности насыщения ( а, концентрации на поверхности ( б и температуры ( в. [37] |
Толщина диффузионного слоя зависит от температуры нагрева, продолжительности выдержки при насыщении и концентрации диффундирующего элемента на поверхности. [38]
Вдоль границы атомы диффундируют с большей скоростью, и это приводит к повышению концентрации диффундирующего элемента на границе по сравнению с окружающей матрицей. Образовавшийся при этом избыток продиффундировавшего вещества распространяется затем в обе стороны от границы. [39]
Продолжительность процесса насыщения определяется необходимой глубиной диффузионного слоя, которая зависит от температуры и концентрации диффундирующего элемента на поверхности. Более высокая концентрация обеспечивает получение большей глубины слоя. [40]
При х, 2 c / Dt 0, т.е. при большой толщине слоя концентрация диффундирующего элемента практически близка к нулю. [41]
В результате трех перечисленных процессов образуется диффузионный слой, характеризующийся тем, что на поверхности концентрация диффундирующего элемента наибольшая и постепенно падает по мере удаления от поверхности ( фиг. Так обстоит дело, если диффундирующий элемент образует с металлом систему непрерывных твердых растворов. Если, однако, насыщающий элемент В образует с металлом А систему сплавов с ограниченной растворимостью и с химическими соединениями ( фиг. [42]
Это объясняется тем, что металлографически трудно определить полную глубину диффузии, и за граничной линией концентрация диффундирующего элемента сравнительно невелика, и, следовательно, в этой части слоя не происходит заметного изменения свойств. [43]
Выражение ( 8) может быть использовано как для определения коэффициента диффузии D по известному распределению концентрации диффундирующего элемента, так и для нахождения его распределения, если известен коэффициент диффузии, а условия насыщения определяются соответствующими граничными условиями. [44]
Выражение (4.1) характеризует первый закон диффузии ( первый закон Фика), связывающий массоперенос с перепадом концентрации диффундирующего элемента. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5