Концентрация - диффундирующий элемент
Cтраница 4
Глубина проникновения определяется скоростью диффузии, которая для данного частного случая зависит в основном от гемпературы процесса и концентрации диффундирующего элемента на поверхности. [46]
В ряде случаев, особенно когда раствор приближается к состоянию насыщения, скорость диффузии начинает заметно зависеть от концентрации диффундирующего элемента. Так, в системе Ni - Си следует ожидать изменения коэффициента диффузии в зависимости от состава. Оба элемента образуют непрерывный ряд твердых растворов и, очевидно, можно ожидать увеличения D и уменьшения Q по мере увеличения концентрации меди и образования твердого раствора на основе меди, что действительно и имеет место. [47]
 |
Микроструктура края реакционной зоны таблетки диффузионной пары ZnO-Fe O, спеченной при 1263 С в течение 117 ч. / - FejO3. 2 - ZtiFejOf. [48] |
Полезную информацию о механизме образования ферритов дает электронно-зондовый микрорентгеноспектральный анализ, позволяющий при сканировании электронного пучка размером 1 - 2 мкм в зоне реакции определить распределение концентраций диффундирующих элементов вдоль направления их перемещения. В качестве примера на рис. 2.9 и 2.10 приведены кривые распределения интенсивностей характеристического рентгеновского излучения Ni, Fe, Zn, отражающие концентрационное распределение этих элементов по толщине реакционной зоны контактирующих таблеток Fe2O3, NiO и ( Ni, Zn) O. Из этих кривых видно, что на фазовых границах ( Ni, Zn, Fe) О - феррит и ( Ni, Fe) О - феррит последний близок к стехиомет-рическому, а на границе с Fe2O3 содержит избыток железа в виде растворенного магнетита. При отжиге диффузионного слоя на воздухе при температурах ниже 900 С происходит окисление Fe2 до Fe3, и на фазовой границе с Fe2O3 выделяется a - Fe203 в виде иглоподобных кристаллов. [49]
 |
Математическое моделирование формирования нового интерметалл и да 2 при отжиге диффузионной пары фаза 1 - фаза 3 в безразмер-ных координатах х, t. [50] |
Здесь у ( i - 1 - - 3) - доли фаз в сечении, перпендикулярном оси Ох ( рис. 1, б); с - концентрация диффундирующего элемента А в i - й фазе; элементы диагональной матрицы Z равны соответственно i / j, г / 2, уа; верхний индекс т означает транспонирование. Система ( 1) описывает движение границ фаз, а ( 2) - изменение их составов при реакционной диффузии. [51]
Толщина диффузионного слоя зависит от температуры насыщения ( рис. 147, а), продолжительности процесса ( рис. 147, б), характера образующегося твердого раствора, обрабатываемого металла ( состава сплава) и концентрации диффундирующего элемента на поверхности. [52]
Это объясняется тем, что металлографически трудно определить полную глубину диффузии. За граничной линией концентрации диффундирующего элемента сравнительно невелика и, следовательно, в этой части слоя не происходит заметного изменения свойств. Более точно толщину диффузионного слоя можно определить рентгеноструктур-ным методом или микрорентгеноспектральным анализом, позволяющим точно установить изменение концентрации диффундирующего элемента. [53]
Это объясняется тем, что металлографически трудно определить полную глубину диффузии. За граничной линией концентрации диффундирующего элемента сравнительно невелика и, следовательно, в этой части слоя не происходит заметного изменения свойств. Более точно толщину диффузионного слоя можно определить рентгеноструктур-ным методом или микрорентгеноспектральным анализом, позволяющим точно установить изменение концентрации диффундирующего элемента. [54]
Это объясняется тем, что металлографически трудно определить полную глубину диффузии. За граничной линией концентрации диффундирующего элемента сравнительно невелика и, следовательно, в этой части слоя не происходит заметного изменения свойств. [55]
При образовании химического соединения в виде обособленной новой фазы концентрация элемента в диффузионном слое постоянна к определяется по ее стехиометрическому составу. В этом случае определение концентрации диффундирующего элемента не представляет затруднений. [56]
Коэффициент диффузии может зависеть от концентрации диффундирующего элемента. [57]
 |
Зависимость толщины диффузионного слоя от продолжительности насыщения ( а, температуры ( и и изменение концентрации но толщине диффузионного слоя ( в. [58] |
При температуре tt ( рис. 148) диффузия протекает в решетке с /, без фазовых превращений. Следовательно, при температуре насыщения существует только ос-твердый раствор и концентрация диффундирующего элемента постепенно уменьшается от максимальной на поверхности до нуля на некоторой глубине. [59]
 |
Влияние времени насыщения ( а, концентрации диффундирующего элемента ( б и температуры ( в на толщину диффузионного слоя. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5