Малая концентрация - примесь
Cтраница 3
 |
Температурные зависимости концентрации свободных электронов в полупроводнике при различных концентрациях. [31] |
Рассмотрим характер кривой, соответствующей отнесительно малой концентрации примесей ( доноров) Ыя. Угол наклона этого участка кривой характеризует энергию ионизации примесей. В данном диапазоне температур уровень Ферми находится между дном зоны проводимости и энергетическими донорными уровнями. Поэтому уровень Ферми при температуре Tz совпадает с энергетическим уровнем донора. [32]
Особенно чувствителен этот метод при исследовании малых концентраций примесей. Поляризация люминесценции позволяет также различать молекулярное и экситонное излучения. [33]
Часто на практике возникает необходимость намерения малых концентрации примесей на фоне высоких концентрации неопределяемых компонентов, например, в упомянутом выше мембранном способе производства каустика для контроля качества готового продукта необходимо измерять концентрацию Л / й-й в пределах О... Решение этой задачи сьявано с опрвделен-нши Трудностями, т.к. используемые в этих случаях устроис 1 - ja сложна и непригодны для автоматического контроля, а использование простых и распространенных измерительных средств, например, ион-селективных электродовуограничивается их чувствительностью, природой неопределяемых ионов и рН раствора. [34]
Так как передача энергии наблюдается при сравнительно малых концентрациях примеси [ 10 - 3 % ( масс.) ], когда молекулы примеси разделены десятками молекул матрицы, можно предположить, что механизм передачи энергии носит индуктивно-резонансный характер. Такой механизм передачи энергии характерен для синглет-синглетного перехода. Спектр фосфоресценции анилина находится в более коротковолновой области, в то время как спектр поглощения анилина - в более длинноволновой области относительно соответствующих спектров фенола. Таким образом, передача энергии от фенола к анилину, согласно схеме энергетических уровней молекул, может происходить лишь между синглетными уровнями. [35]
Даже при большом объеме расплава, на малой концентрации примеси в нем, особенно примеси, имеющей - большое значение эффективного коэффициента распределения, масса легирующей примеси может составить величину менее 1 г. Введение малых количеств легирующей примеси в большой объем расплава полупроводника, нагретого до высоких температур, сопряжено со значительными потерями легирующей примеси вследствие испарения и окисления. Поэтому расплавы полупроводников чаще всего легируют с помощью лигатур, содержащих известное количество легирующей примеси. [36]
Это положение, по-видимому, справедливо для малых концентраций примеси. [37]
 |
Расщепление, связанное с внутренним окислением ( а-г и восстановлением до - состояния ( g V-выделений железа из твердого раствора в сплаве Си 2 2 % Fe ( ат.. [38] |
Это положение, по-видимому, справедливо для малых концентрации примеси. [39]
Пешковым был предложен метод определения величины р для малых концентраций примеси в случае слабой диффузии в твердой фазе. Кроме того, было отмечено, что если примесь растворима в твердой фазе, то ее присутствие в отдельных случаях практически не изменяет температуры кристаллизации. [41]
Как указывалось в сообщении 1 [1], для области малых концентраций примесей, когда равновесная концентрация примеси в паре линейно пропорциональна ее концентрации в жидкости ( область Генри), возможен аналитический расчет кратности очистки продукта в зависимости от параметров колонны и постоянной скорости его отбора. [42]
Действительно, очевидно, что в предельном случае исчезаю-ще малых концентраций примеси [ D ] - - 0, искомое решение системы уравнений должно переходить в найденное в предыдущем разделе решение (4.6) для чистого кристалла, согласно которому концентрации электронов проводимости и дырок равны константе собственной ионизации / G. С другой стороны, сравнение формул (4.5) и (4.12) показывает, что прИ ( А. Ес - Ей) константа ионизации доноров Гп значительно больше константы собственной ионизации Ki. Следовательно, для рассматриваемого полупроводника должна существовать некоторая область сравнительно небольших концентраций доноров примеси, в которой концентрация электронов проводимости [ е - - сравнима по величине с константой К. Поэтому для указанной области в знаменателе уравнения (4.16) можно пренебречь слагаемым [ е - ] по сравнению с Гв, после чего это уравнение принимает вид [ ТН ] [.], показывающий, что практически все доноры находятся в ионизованном состоянии. [43]
Коэффициент k, получивший название коэффициента распределения, при малых концентрациях примеси и невысоких скоростях перемещения расплавленной зоны можно считать приблизительно постоянным. [44]
Зависимость подвижности от концентрации примесей показана на рис. 1.12. При малой концентрации примесей преобладает рассеяние на фононах, подвижность имеет максимальное значение, соответствующее беспримесному полупроводнику. При больших концентрациях примесей влияет рассеяние на ионизированных атомах и подвижность уменьшается с ростом их концентрации. Таким образом, важнейшими факторами, определяющими значение подвижности, являются температура и концентрация примесей. В соответствии с соотношениями Эйнштейна (1.11) эти же факторы определяют значения коэффициентов диффузии свободных носителей. Поэтому все описанные выше зависимости подвижности могут быть использованы и для коэффициентов диффузии с учетом множителя фт. Различие температурной зависимости подвижности и коэффициента диффузии приводит к тому, что с ростом температуры относительная роль диффузионного движения увеличивается. [45]
Страницы: 1 2 3 4