Малая концентрация - дефект
Cтраница 1
Малые концентрации дефектов ( 2 - 10 - 3) приводят к пиннингу ВЗП. [1]
При малой концентрации дефектов взаимодействие между ними отсутствует, а распределение в пространстве случайно. По мере увеличения нестехиометрии дефекты вступают во взаимодействие, упорядочиваются и создают сверхструктуру. Взаимодействие дефектов может приводить к образованию кластеров, которые упорядочиваются силами кулоновского взаимодействия. [2]
При малой концентрации дефектов гх велико по сравнению с г0 и потому вторым членом уравнения (V.11) можно пренебречь. [3]
 |
Энергия образования вакансий Wy и теплота сублимации TPL в кристаллах простых веществ ( в эВ. [4] |
Таким образом, при малых концентрациях дефектов в разупорядочен-ном кристалле химический потенциал металла постоянен и равен его химическому потенциалу в совершенном кристалле. [5]
При Енн0 и 8С1 ( малая концентрация дефектов) уравнение ( X, 55) переходит в выведенное раньше уравнение. [6]
И только в предельном случае малых концентраций дефектов, когда концентрации нормальных структурных элементов можно - полагать равными единице, оба уравнения совпадают. [7]
 |
Влияние дефектов I и II классов на распределение интенсивности рассеяния рентгеновских лучей. [8] |
Однако, как показал М. А. Кривоглаз, при малой концентрации дефектов с распределение интенсивности / 1 ( q) имеет узкие колоколообразные максимумы, интегральная интенсивность которых в [ 1-ехр ( - 2Л1) ] раз меньше, чем интенсивность правильных отражений в идеальном кристалле. Ширина такого максимума пропорциональна с, максимум сдвинут на величину, пропорциональную cq и значительно меньшую, чем сдвиг правильного отражения. [9]
Результаты, полученные в предыдущем разделе, имеют далеко идущие последствия. Следовательно, при малых концентрациях дефектов, при которых справедлива формула (2.22), дефектный кристалл представляет собой идеальную термодинамическую систему, аналогичную разбавленным жидким растворам, и при его описании можно пользоваться традиционным математическим аппаратом физической химии идеальных растворов. [10]
Известно, что наличие упомянутых дефектов приводит, вообще говоря, к появлению локальных уровней электронного возбуждения. Эти уровни при малых концентрациях дефектов могут сравнительно слабо быть представленными в спектре поглощения. Однако в люминесценции их роль может быть существенной благодаря возможности передачи энергии экситонов ( или поляритонов) электронам дефекта с последующим ее высвечиванием. Такой механизм сенсибилизированной люминесценции обсуждается в последующих главах этой книги. Кроме того, как это было показано в [201], дефекты могут приводить к экситонной люминесценции, которой не предшествует локализация энергии на дефекте. [11]
Однако в эпитаксиальных слоях арсенида галлия не удается пока достичь малой концентрации дефектов и достаточно низкой концентрации доноров. Поэтому пробивное напряжение диодов Шотки на основе арсенида галлия оказывается низким, что является существенным недостатком для выпрямительных диодов. [12]
По-видимому, происходит выход электронов из ловушек и последующая их рекомбинация с положительными ионами. При облучении кристаллических спиртов электроны не стабилизируются, вероятно, из-за малой концентрации дефектов. Что с ними происходит, точно не известно, но они, вероятно, не принимают участия в образовании спиртовых радикалов. [13]
Поэтому формула (2.22) в формализме квазихимического метода описывает все компоненты дефектного кристалла при малых концентрациях дефектов. [14]
В последнее время в теории кристаллов с дефектами все шире используются молекулярные модели и методы расчета электронной структуры, разработанные в теории молекул. Это представляется вполне естественным, поскольку рассматриваемые системы, как и молекулы, обладают точечной, а не трансляционной симметрией. При этом предполагается малая концентрация дефектов в кристалле, что позволяет рассматривать одиночный дефект. [15]
Страницы: 1 2