Cтраница 2
Следует подчеркнуть, что с помощью расчетов можно ответить только на вопрос о стабильности пар. Образуются же они в действительности или нет, зависит от подвижности дефектов при температуре существования устойчивых пар. Оказывается, что при малых концентрациях дефектов ассоциаты устойчивы только при сравнительно низких температурах. В таких условиях могут возникать ассоциаты, одним из компонентов которых являются подвижные междоузельные атомы. [16]
Если условия выбраны правильно, метод ионной бомбардировки дает чистую поверхность, содержащую только захваченные атомы инертного газа. Эти атомы и дефекты решетки, образующиеся при бомбардировке, в большинстве случаев удаляются при отжиге в подходящих условиях. Продолжительность отжига зависит от того, в каких опытах используется кристалл. Например, время жизни неосновных носителей тока в кристалле полупроводника значительно более чувствительно к малой концентрации дефектов, чем работа выхода, и требует, следовательно, более тщательного прокаливания кристалла. Известно, что постоянные дефекты могут образовываться и при бомбардировке, но здесь, вероятно, большое значение имеют геометрические размеры и форма кристаллов. В очень мелких кристаллах образуется больше дефектов, чем в кристаллах, имеющих размеры порядка миллиметра. Имеются некоторые указания на то, что большие атомы таких инертных газов, как криптон и ксенон, образуют в аналогичных условиях меньше дефектов, чем такие легкие атомы, как неон. [17]
Испарение теллурида свинца при термическом напылении производят, как правило, из твердой фазы, что позволяет стабилизировать состав паров за счет образования на поверхности шихты буферного слоя, обедненного легколетучим теллуром. В результате после начального периода испарения, характеризующегося избытком теллура в парах, процесс переходит в стадию, соответствующую минимальному давлению паров при данной температуре, причем источники и пар имеют приблизительно одинаковый состав. По данным [62], при температуре испареция 670 - 730 С эти условия соответствуют слабому избытку свинца Данные, характеризующие изменение состава паровой фазы при напылении теллурида свинца на пленку в условиях сверхвысокого вакуума, и специальные меры, применяемые по очистке подложки и испарителя ( см. разд. Низкая концентрация носителей, полученная в [63, 147] после взаимодействия пленки с кислородом при низком давлении, говорит о малой концентрации дефектов, и неконтролируемых примесей, а также о близости состава к стехио-метрическому. [18]
Испарение теллурида свинца при термическом напылении производят, как правило, из твердой фазы, что позволяет стабилизировать состав паров за счет образования на поверхности шихты буферного слоя, обедненного легколетучим теллуром. В результате после начального периода испарения, характеризующегося избытком теллура в парах, процесс переходит в стадию, соответствующую минимальному давлению паров при данной температуре, причем источники и пар имеют приблизительно одинаковый состав. По данным [ 62, при температуре испарения 670 - 730 С эти условия соответствуют слабому избытку свинца Данные, характеризующие изменение состава паровой фазы при напылении теллурида свинца на пленку в условиях сверхвысокого вакуума, и специальные меры, применяемые по очистке подложки и испарителя ( см. разд. При уменьшении скорости напыления от 0 21 до 0 046 нм / с вследствие возрастания потерь теллура из пленки при медленном напылении концентрация электронов резко возрастала от 1016 до 3 - Ю18 см-3. Низкая концентрация носителей, полученная в [63, 147] после взаимодействия пленки с кислородом при низком давлении, говорит о малой концентрации дефектов, и неконтролируемых примесей, а также о близости состава к стехио-метрическому. [19]