Электронная концентрация

Cтраница 2

Электронная концентрация прямо пропорциональна плотности тока, а средняя электронная температура определяется в большинстве случаев произведением давления газа в трубке и ее диаметра. [16]

Влияние угла возвышения ( угла паде ния на преломление радиоволн в ионосфере.| Возникновение замираний из-за интерференции пространственных волн. [17]

Поскольку электронная концентрация в ионосфере увеличивается ( до максимума в слое F3), на некоторой высоте фронт волны может наклониться так, что радиоволна возвратится к земной поверхности. Искривление траектории движения радиоволны в ионосфере тем сильнее, чем значительнее растет электронная концентрация и чем меньше частота радиоволны. [18]

Замирания приема на средних волнах. [19]

Но электронная концентрация ионосферы, а соответственно и глубина проникновения в нее радиоволн испытывают флуктуа-ционные изменения благодаря непостоянству ионизирующего излучения Солнца и под действием воздушных течений. Вследствие этого изменяется длина траекторий пространственных волн, а значит, и фазовый сдвиг между земной и пространственной волнами. [20]

Повышение электронной концентрации путем введения избытка легкоионизуемого компонента используется на практике ( например, при пламеннофотометрическом определении щелочных элементов) для подавления ионизации атомов определяемых элементов. [21]

Интеграл электронной концентрации по высоте в (13.138) называется полным содержанием электронов или плотностью в столбе. Избыточная длина пути соответствует фазовой задержке и в ионосфере отрицательна. [22]

Изменение электронной концентрации ( число электронов, приходящихся на один атом или на единицу объема) при изменении номера группы в периодической системе определяет закономерную смену кристаллических структур. Так, щелочные металлы кристаллизуются в ОЦК-решетке, щелочноземельные металлы ( кроме Ва) и металлы группы Zn - в ГПУ-решетке, А1 и металлы, группы Си - в ГЦК-решетке. Эти три структуры характерны и для других переходных металлов. [23]

Микроструктура поверхности раздела а-пластин. Сплав ВТ-1, угольная реплика, ХЗООО. [24]

Увеличение электронной концентрации может привести к возрастанию сил связи в кристаллической решетке и энергии образования вакансий. Как предполагал Кристиан, параметры диффузии в титане и его сплавах меняются в зависимости от количества эффективно свободных электронов, приходящихся на один атом, Исследования методом авторадиографии ( например, ( 293 ]) косого среза показали, что увеличение концентрации кислорода в титановых сплавах ( технический титан, титан с 5 % А1, титан с 12 % Мп) приводит к замедлению диффузии никеля на 1 - 2 порядка. Правда, в данном случае диффузия исследовалась не в а -, а в р-области при 1000 - 1075 С. [25]

Под электронной концентрацией понимается отношение числа валентных электронов к числу атомов сплава. [26]

Температура и электронная концентрация в плазменной струе значительно выше, чем в обычной дуге, горящей в атмосфере того же газа. [27]

Области существования фаз типа б, ji, P и R в трехкомпонентных системах ( в ат. %. [28]

Пунктиром показана электронная концентрация. [29]

Температура и электронная концентрация в плазменной струе значительно выше, чем в обычной дуге, горящей в атмосфере того же газа. Так, осевая температура в аргоновой плазменной струе достигает 11 000 - 15 000 К, а концентрация электронов составляет 1016 - 1017 см-3 [ 850, 169; 662, стр. [30]

Страницы: 1 2 3 4