Повышенная концентрация - примесь
Cтраница 1
Повышенная концентрация примесей, поступающих из расплава, и образование конденсата из летучих элементов на поверхности слитка нередко заставляют зачищать его поверхность перед горячей обработкой давлением. Невозможность выполнения этой операции может повредить горячей деформируемости слитка и существенно увеличить производственные потери. Как бы то ни было, слитки после вакуумно-дугового переплава уступают слиткам электрошлакового переплава по качеству поверхности. Практические навыки обработки давлением выработаны для большинства суперсплавов, и многие практики считают, что по горячей деформируемости слитки вакуумно-дугового переплава хуже слитков переплава электрошлакового. В определенных случаях это различие связано с качеством поверхности, но подповерхностная структура слитков, по-видимому, также играет свою роль. [1]
Повышенная концентрация примеси, особенно нефти в сточных водах после отстаивания в РВС, связана с образованием устойчивой эмульсии нефть в воде с размером частиц менее 20 мкм. Известно, что гидрофобные материалы ( полиэтилен, полистирол, пенополиуретан) способствуют укрупнению частиц дисперсной фазы при пропускании через них неф тесодержащей жидкости. [2]
При повышенных концентрациях примесей и низких температурах основную роль играет рассеяние на ионизированных атомах примесей. Механизм рассеяния движущегося электрона неподвижным ионом поясняется на рис. 1.10. Если температура низкая, то тепловая скорость электрона (1.6) мала. В результате притяжения электрон падает на ион ( траектория /), превращая его на некоторое время в нейтральный атом, после чего в результате теплового возбуждения электрон отрывается от атома и начинает движение в случайном направлении, не связанном с первоначальным. Это соответствует сильному рассеянию. При большой температуре скорость электрона увеличивается. При еще большей температуре вследствие большой скорости направление движения почти не изменяется ( траектория 3), что соответствует слабому рассеянию. Таким образом, при рассеянии свободных носителей на ионизированных примесях подвижность увеличивается с ростом температуры вследствие уменьшения времени их взаимодействия с ионами. [3]
Индекс означает повышенную концентрацию примесей по сравнению с областями п - и р-типа. [4]
При этом участок повышенной концентрации примеси в конце образца, имеющий после первого прохода протяженность одной зоны, с увеличением числа проходов п постепенно расширяется. Это происходит за счет того, что при подходе расплавленной зоны к данному участку часть примеси диффундирует обратно в расплавленную зону или, как говорят, происходит отражение примеси от конца образца. Следовательно, при дополнительных проходах углубляется начальный участок кривой распределения, повышается конечный участок кривой распределения и уменьшается длина горизонтального участка. [5]
Эагот слой, имеющий повышенную концентрацию примесей, ослабляет инжекцию неосновных носителей. Полученный сплав представляет собой контакт двух полупроводников одного типа, но с различной концентрацией примесей. [6]
Отмечено при этом и некоторое возрастание повторяемости повышенных концентраций примеси. [7]
Из приведенных данных видно, что выделяются периоды повышенной концентрации примесей на выходе из водоочистных сооружений. [8]
Одну из крайних областей транзисторной структуры создают с повышенной концентрацией примесей, используют в режиме инжекции и называют эмиттером. Среднюю область называют базой, а другую крайнюю область-коллектором. Два перехода БТ называются эмиттерным и коллекторным. [9]
Одну из крайних областей транзисторной структуры создают с повышенной концентрацией примесей, используют в режиме инжекцни и называют эмиттером. Среднюю область называют базой, а другую крайнюю область - коллектором. Два перехода БТ называются эмиттерным и коллекторным. [10]
Из приведенных данных видно, что на практике существуют периоды повышенной концентрации примесей на выходе из водоочистных сооружений. [11]
Для получения туннельного эффекта используют вырожденные полупроводники, отличающиеся от обычных повышенной концентрацией примесей, которая достигается усиленным введением примесей ( легированием) р - и n - областей перехода. Концентрация примесных атомов в легированном полупроводнике достигает 1019 в 1 см3 по сравнению с 1015 в 1 см3 в невырожденном полупроводнике. Из-за повышенной концентрации примесей р - п-пере-ходы имеют небольшие удельные сопротивления и малую толщину. [12]
Пылеуловители различных типов, в том числе и электрофильтры, применяют при повышенных концентрациях примесей в воздухе. Фильтры используют для тонкой очистки воздуха с концентрациями примесей не более 50 мг / м3, если требуемая очистка воздуха идет при больших начальных концентрациях примесей, то очистку ведут в системе последовательно соединенных пылеуловителей и фильтров. [13]
Полиакриламид был опробован при очистке рассола из баскунчакской соли, а также подземного рассола с повышенной концентрацией примесей. Исследования, проведенные для выяснения флокулирующего действия полиакриламида при очистке рассола, дают основания предполагать, что связывание частиц твердой фазы происходит не отдельными макромолекулами флокулянта, а группами макромолекул, образующих между собой местные локальные структуры. [14]
 |
Горизонтальный отстойник с рассредоточенным отводом воды с поверхности и из придонной зоны. [15] |
Страницы: 1 2 3 4