Повышенная концентрация - примесь
Cтраница 3
В них отмечено, что обычно в течение нескольких часов после прекращения осадков редко встречаются повышенные концентрации примеси. Если осадки выпадают в течение 4 ч до момента определения концентраций, то при увеличении интенсивности осадков возрастает степень очищения воздуха. Это более четко проявляется в снижении фонового загрязнения воздуха в городе, являющегося результатом суммарного действия всех источников выбросов примесей. [31]
Если скорость роста границы равна или выше скорости диффузии, то концентрация примеси перед растущей гранью постепенно возрастает, вызывая повышение концентрации примеси в слое расплава, примыкающем к движущейся границе раздела фаз. Так как рост грани осуществляется отложением на ней частиц основного вещества, то наличие перед гранью слоя с повышенной концентрацией примеси затрудняет рост грани, препятствуя проникновению к кристаллу частиц основного вещества. В этих условиях часто наблюдается образование кристаллов неправильной формы. [32]
Если скорость роста грани равна или выше скорости диффузии, то концентрация примеси перед растущей гранью постепенно возрастает, вызывая повышение концентрации примеси в слое расплава, примыкающем к движущейся границе раздела фаз. Так как рост грани осуществляется отложением на ней частиц основного вещества, то наличие перед гранью слоя с повышенной концентрацией примеси затрудняет рост грани, препятствуя прониканию к кристаллу частиц основного вещества. Для восстановления нормального роста этот слой посторонних частиц должен быть удален путем диффузии или конвекции. При отсутствии последней скорость роста замедляется до скорости диффузии примесей. [33]
Это связано, по-видимому, с нзсыщением злмаза примесью борз и повышенной интенсивностью образования электрических нейтральных В - N-комплексов в таких кристаллзх, поскольку содержз-ние пзрамагнитного ззота в них уменьшается, хотя скорость роста кристзллов сравнительно велика, что должно способствовать ззхвату азота алмазом. Таким образом, степень анизотропии сопротивления легированных бором кристаллов может быть обусловлена кзк преимущественным его захватом гранями октз-эдрз, так и повышенной концентрацией компенсирующей примеси ззота в пирамидах роста граней кубз. [34]
 |
Графики температурных зависимостей сопротивления кристаллов, легированных бором. [35] |
Это связано, по-видимому, с насыщением алмаза примесью бора и повышенной интенсивностью образования электрических нейтральных В-N - комплексов в таких кристаллах, поскольку содержание парамагнитного азота в них уменьшается, хотя скорость роста кристаллов сравнительно велика, что должно способствовать захвату азота алмазом. Таким образом, степень анизотропии сопротивления легированных бором кристаллов может быть обусловлена как преимущественным его захватом гранями октаэдра, так и повышенной концентрацией компенсирующей примеси азота в пирамидах роста граней куба. [36]
 |
Зависимости коэффициента.| Зависимости удельной проводимости п-германия от температуры. Штриховой линией показана величина собственной проводимости. Концентрация примеси мышьяка. [37] |
В настоящее время этим способом получают монокристаллы германия диаметром до 100 мм и более. Слитки имеют неодинаковое сопротивление по длине, так как верхняя часть слитка содержит меньшее число примесей, чем нижняя, вытягиваемая из остатков расплавленного германия с повышенной концентрацией примесей. При вытягивании монокристалла в расплав вводят в строго контролируемом количестве примеси для получения германия с определенной величиной и типом проводимости. [38]
Для получения туннельного эффекта используют вырожденные полупроводники, отличающиеся от обычных повышенной концентрацией примесей, которая достигается усиленным введением примесей ( легированием) р - и n - областей перехода. Концентрация примесных атомов в легированном полупроводнике достигает 1019 в 1 см3 по сравнению с 1015 в 1 см3 в невырожденном полупроводнике. Из-за повышенной концентрации примесей р - п-пере-ходы имеют небольшие удельные сопротивления и малую толщину. [39]
Состав токсичных примесей, содержащихся в отходящих газах, концентрация отдельных ингредиентов определяют размеры контактного узла реактора. При наличии в отходящем газе нескольких загрязняющих примесей размеры контактного узла определяют из условия обеспечения необходимой степени очистки газа от наиболее токсичной примеси. При повышенных концентрациях окисляемой примеси температура реакционной смеси может резко возрасти за счет экзотермичности реакции окисления, привести к опасному разогреву катализатора и к частичной или полной потере его каталитической активности. В подобном случае необходимо разбавить отходящий газ инертным газом или воздухом, что приводит в итоге к росту мощности выброса, или установить в контактном катализаторном узле устройство для снятия избыточного тепла во избежание дезактивации катализатора. [40]
Для достижения высокой степени очистки, как уже отмечено, производят несколько проходов расплавленной зоны. С увеличением числа проходов концентрация примеси на одном конце образца возрастает, а на другом - падает. При этом участок повышенной концентрации примеси, имеющий после первого прохода длину одной зоны, с ростом числа проходов п постепенно расширяется в результате обратной диффузии примеси в расплавленную зону. Предельной степени очистки соответствует п - оо. [41]
Как правило, температура в центробежном поле растет по пути движения кристалла, а концентрация примеси падает. Внутренние слои кристалла имеют повышенную концентрацию примеси по сравнению с вновь образовавшимися. [42]
 |
Зависимость степени испарения некоторых примесей из образцов кварцевого стекла в потоке хлористого водорода от температуры. [43] |
В качестве эталонов при отгонке примесей в потоке газа используют растворы солей ( нитратов) определяемых элементов, нанесенные на небольшое количество ( 10 - 20 мг) чистой основы. Эталонами при испарении примесей в токе хлористого водорода служат образцы ос. Процедуре отгонки подвергают небольшие навески эталонов с повышенной концентрацией примесей. Если внести соответствующие поправки на неполноту конденсации, в качестве эталонов для конечного дугового спектрального анализа примесей, отгоняющихся в потоке хлористого водорода, можно использовать сухие остатки солянокислых растворов определяемых элементов, нанесенные на торцы угольных капсюлей, защищенные полистиролом. [44]
Существенным для электропроводности оказывается то обстоятельство, что на - границах кристаллических зерен может скапливаться основная часть примесей поликристаллического материала. В металлах такие загрязненные прослойки, если они имеют достаточную толщину, увеличивают электрическое сопротивление образца. В полупроводниках с малой проводимостью наличие таких переходных слоев с повышенной концентрацией примесей может в некоторых случаях приводить к тому, что значительная часть тока будет течь не сквозь монокристаллические зерна основного вещества, а по поверхности зерен, имеющих повышенную проводимость примесной природы. В других случаях, когда такие переходные слои имеют повышенное сопротивление, поликристалл имеет меньшую проводимость, чем само вещество. [45]
Страницы: 1 2 3 4