Повышенная концентрация - дефект
Cтраница 1
Повышенная концентрация дефектов в переходном слое обусловлена различием в строении и в физических свойствах полупроводника и диэлектрика. Как видно из рис. 6.13, соприкосновение двух веществ приводит к возникновению дефектов в виде оборванных и напряженных валентных связей в переходном слое. При воздействии радиации на структуру диэлектрик-полупроводник в ней наблюдается увеличение плотности поверхностных состояний и заряда в объеме диэлектрика. Процесс образования заряда в объеме диэлектрика определяется поглощенной до-зой ионизирующего излучения, значением и полярностью приложенного напряжения, концентрацией ловушек. [2]
 |
Изменение в зависимости от состава твердых растворов КС. - КВг ( кристаллы 12 месяцев хранения. [3] |
Повышенная концентрация дефектов в твердых растворах оказывает, по-видимому, сравнительно небольшое влияние на интенсивность окраски кристалла. [4]
Если считать, что последние имеют повышенную концентрацию дефектов, то объяснить меньшую АЕ для них можно путем использования механизма самодиффузии как основного процесса структурной перестройки выше 1800 - 2000 С. Косвенным подтверждением того, что перестройка происходит по указанному механизму, служат данные [10-4] об относительной легкости введения бора в качестве атомов замещения в неупорядоченные графитирующиеся вещества по сравнению с трехмерно упорядоченным графитом. [5]
 |
Схема установки для активированного реактивного напыления. [6] |
Для увеличения стойкости быстрорежущей стали разработаны покрытия из Ti ( С, N) с повышенной концентрацией дефектов. [7]
Нарушение однородного распределения атомной плотности в металлах обусловлено их поликристаллическим строением и наличием областей с повышенной концентрацией дефектов. В работе [21] эффективный учет этих факторов для одномерного случая осуществлен путем введения области с более низкой ( по отношению к основной части) атомной плотностью. [8]
Предположительно зарождение аморфной фазы происходит на поверхности раздела интерметаллид-матрица, так как именно здесь возникает градиент свободной энергии вследствие повышенной концентрации дефектов на границе. Это приводит к выравниванию свободной энергии интерметаллидной фазы и аморфного сплава от периферии к центру частиц. На конечной стадии процесса предполагается полная аморфизация материала. Расчеты [509] энтальпий и свободной энергии систем Со-Сг, Ni-Сг, Fe-Сг основывались на неравенстве Гиббса-Богомолова и потенциале взаимодействия заряженных несжимаемых сфер Юкавы. Расчетные данные удовлетворительно согласовались с экспериментальными, но такой подход не лишен спорных моментов и не объясняет, почему при МЛ металлических порошков происходит аморфизация. При рассмотрении же последовательности возникновения новых фаз, определяемой энергией Гиббса или изобарно-изотермичес-ким потенциалом, становится ясно, что структуры, наиболее предпочтительные в термодинамическом отношении, будут и наиболее устойчивыми. [9]
В микрообъемах, соответствующих бывшим карбидным частицам, сохраняется повышенная концентрация легирующих элементов, ранее содержавшихся в этих частицах, а также наблюдается повышенная концентрация дефектов кристаллической решетки, поскольку решетки карбидной фазы и аустенита весьма существенно различаются. Очевидно, что для выравнивания химического состава необходимо весьма продолжительное время. [10]
Помня, что для междоузельных атомов Q0 0, а для вакансий Й0 0, мы можем заключить, что вблизи дислокации всегда существуют области повышенной концентрации дефектов того или иного типа. Таким образом, упругое взаимодействие точечных дефектов с дислокацией приводит к образованию облаков точечных дефектов ( атмосферы Коттрелла) вблизи последней. [11]
Повышенная концентрация дефектов облегчает образование активных центров в условиях сварки, вызывает возрастание параметров диффузии взаимодействующих материалов и интенсифицирует другие физические процессы в контакте. [12]
Дефекты упаковки и примеси серы сказываются на концентрации дислокаций ( рис. 36, кривая 3) и их движении и тем самым приводят к изменению механических свойств. При повышенных концентрациях дефектов упаковки и атомов серы образуются препятствия на плоскостях скольжения, с трудом преодолеваемые дислокациями; эти условия реализуются при DK2 - f - 10 А / дм2, при которых осаждаются слои никеля с повышенными механическими свойствами. Структурно-чувствительной характеристикой к дефектам кристаллической решетки является удельное электросопротивление ( рис. 37, кривая /), которое изменяется в зависимости от плотности тока по закономерностям, аналогичным изменению дефектов упаковки, дислокациям и содержанию серы. [13]
Иными словами, хотя средняя концентрация дефектов не зависит от направления, области повышенной концентрации вытянуты в направлении текстуры. В областях повышенной концентрации дефектов расстояние между очагами разрушения оказывается наименьшим, поэтому и слияние несплошностей происходят, главным образом, в направлении текстуры. [14]
 |
Зависимость концентрации электронов в эпитаксиальной пленке арсенида галлия от толщины пленки. [15] |
Страницы: 1 2